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1 与半导体进行自掺杂接触的方法和装置
2 掺杂半导体层的方法
3 化合物半导体及其可控掺杂
4 化合物半导体的Ｎ型掺杂方法和用此法生产的电子及光器件
5 掺杂半导体电热膜
6 一种半导体的掺杂技术
7 化学汽相沉积过饱和稀土掺杂的半导体层
8 具有异型掺杂岛的半导体器件耐压层
9 具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法
10 使用掺杂硅酸盐玻璃的半导体结构的间隙填充
11 采用微掺杂漏极结构的半导体器件及其制备方法
12 稀土掺杂的半导体薄膜
13 化学汽相淀积稀土掺杂的半导体层
14 用于通过植入法掺杂的SiC半导体区的热自愈方法和SiC基半导体元件
15 通过注入掺杂制成的碳化硅半导体的热修复法
16 用多步淀积/退火工艺改进的利用掺杂硅酸盐玻璃的半导体结构的间隙填充
17 无损测量半导体器件的漂移区的掺杂浓度和分布的方法
18 用于生产半导体p
19 一种测量半导体掺杂浓度的方法
20 掺杂层中按设定图形嵌入金属层的半导体电致发光器件
21 p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法
22 用于制造p^-掺杂及外延涂覆的硅半导体晶片的方法
23 一种钒掺杂氧化钛纳米稀磁半导体及其制备方法
24 包括超晶格和相邻的具有限定半导体结的掺杂区的半导体层的半导体器件
25 稀土掺杂的含半导体量子点透明玻璃陶瓷发光材料及其制备方法
26 一种Mn掺杂SnO2</sub>室温稀磁半导体纳米粉的制备方法
27 一种Fe掺杂ZnO室温稀磁半导体材料的制备方法
28 N2</sub>O掺杂p型Zn1-x</sub>Cox</sub>O稀......
29 包括掺杂的硅碳衬里层的半导体结构及其制造方法
30 粒子半导体材料的掺杂
31 半导体掺杂分布的精确测量方法
32 制备具有掩埋掺杂区的半导体器件的方法
33 含氟的P型掺杂微晶半导体合金及其制造方法
34 改进的硼掺杂半导体材料及其制备方法
35 制造光电器件和其它半导体器件用的氢化非晶硅合金的沉积物原料和掺杂剂材料
36 半导体的光致核嬗变掺杂
37 掺杂的有机半导体材料以及它们的制造方法
38 超掺杂半导体材料的方法以及超掺杂的半导体材料和器件
39 一种用于形成如图 5所示具有衬底(2)、带有至少一个沟槽(52)的电压维持外延层(1)、以及邻接并环......
40 于沟道区域中具有退化掺杂分布的半导体组件及用于制造该半导体组件的方法
41 完全耗尽型绝缘层上硅结构的掺杂方法和包含所形成掺杂区的半导体器件
42 用醌二亚胺掺杂有机半导体的方法
43 用于提供具有活性掺杂剂层结构的半导体衬底的方法
44 制造重掺杂半导体晶圆的工艺，及无位错、重掺杂半导体晶圆
45 掺杂方法
46 用于氮化物基半导体装置的低掺杂层
47 具有轻掺杂漏极的金属氧化物半导体的制作方法
48 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法
49 具有铟掺杂子区域的栅隔离区的半导体结构
50 非晶态高掺杂Cox</sub>Ti1-x</sub>O2</sub>铁......
51 掺杂的有机半导体材料以及其制备方法
52 德尔塔掺杂的碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法
53 半导体掺杂制程
54 应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法
55 自动掺杂使N井及N+埋藏层隔离的半导体元件
56 离子掺杂装置、离子掺杂方法以及半导体装置
57 具有集成的掺杂沟道的参数确定的半导体复合结构、用于其生产和应用的方法
58 减慢半导体衬底中掺杂剂扩散的方法及由此制作的器件
59 制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法
60 室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2</sub>薄膜的制备方法
61 采用调制掺杂量子阱结构的阵列式半导体激光器
62 一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法
63 利用固相外延再生长的具有降低的掺杂轮廓深度的半导体衬底及其制作方法
64 由硅制造掺杂半导体晶片的方法以及该半导体晶片
65 金属络合物作为 n -掺杂物用于有机半导体基质材料中的用途
66 用于半导体制造的栅极掺杂物激活方法
67 具有铟掺杂子区域的栅隔离区的半导体结构
68 在本征半导体和欧姆接触之间具有P掺杂半导体的有机肖特基二极管
69 一种基于自由载流子吸收技术的半导体掺杂浓度测量方法
70 锰掺杂磁半导体
71 将稀土掺杂放大器集成到半导体结构中
72 铜掺杂磁半导体
73 掺杂有较衬底原子扩散速度更慢原子的隔离层的半导体器件
74 包括杂质掺杂区的半导体器件及其形成方法
75 具有掺杂钛酸盐主体的金属-氧化物-半导体
76 使用衬底倾斜的半导体掺杂
77 等离子体掺杂方法及利用该方法制造半导体器件的方法
78 柱撑层载/掺杂半导体型多功能复合材料的制备及使用方法
79 等离子体掺杂方法及半导体装置的制造方法
80 具有基于掺杂半导体金属接触的偏压电极的用于减轻DC偏压漂移的光电调制器
81 用于局部触点接通和局部掺杂半导体层的方法
82 非磁性离子Zn²⁺、Mg²⁺、Al<sup>3+</su......
83 一种具有光电导效应的钯掺杂碳膜/氧化物/半导体材料
84 用于有机半导体的基于衍生化富勒烯的掺杂剂
85 一种Cu掺杂TiO2</sub>耦合型半导体光催化剂及制备方法和应用
86 具有两级掺杂曲线的功率半导体器件
87 掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用
88 半导体元件、在其中增加表面掺杂浓度的方法及形成方法
89 Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法
90 Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法
91 硼化镧掺杂的氧化物半导体材料及其应用
92 一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法
93 组态及制造其中以不同掺杂物定义场效应晶体管的源极和漏极延伸区的半导体结构
94 具有漏极轻掺杂结构的金属氧化物半导体元件的制造方法
95 锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置
96 铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置
97 铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置
98 具有可见光催化活性的碳掺杂半导体氧化物及其制备方法
99 一种可精确控制掺杂区掺杂浓度的半导体器件
100 采用掺杂半导体层作为布线的半导体加速度传感器
101 通过氟化硼化合物掺杂而制造具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的方法
102 掺杂半导体层的方法、制造薄膜半导体器件的方法、及薄膜半导体器件
103 具轻掺杂汲极的半导体组件及其形成方法
104 制备窄掺杂剖面高性能半导体器件的结构和方法
105 以坚固支座、碳掺杂和电阻率控制及温度梯度控制来生长半导体晶体的方法和装置
106 具有电流控制电阻效应的掺杂半导体/绝缘体/半导体材料
107 包含具有至少一组基本未掺杂层的超晶格的半导体器件
108 一种金属掺杂的非半导体可见光光催化剂及其制备方法与用途
109 一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法
110 磁性增强的H掺杂Mnx</sub>Ge1-x</sub>磁性半导体薄膜
111 MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法
112 一种Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体的方法及其用途
113 镍离子掺杂的氧化镉基室温稀磁半导体纳米材料及其制备方法
114 不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法
115 最小化N型掺杂物扩散的经沉积半导体结构和制造方法
116 吡啶并[3
117 掺杂的有机半导体材料
118 用于制造具有不同掺杂浓度的区域的半导体元件的方法
119 制备掺杂的有机半导体材料的方法以及在该方法中使用的配方物
120 包括p掺杂有机半导体的电子元件
121 具有掺杂的半导体异质结触点的太阳能电池
122 一种鉴别和测量半导体材料中掺杂元素的方法
123 采用硼掺杂在金刚石表面制备半导体导电膜的方法
124 包括具有导电覆层的掺杂半导体线的集成电路
125 采用氢掺杂在金刚石表面制备半导体导电膜的方法
126 半导体结构中应变和活化的掺杂剂的光-反射特性刻画方法
127 包括掺杂剂阻挡超晶格的半导体器件及相关方法
128 p型掺杂CuCrO2</sub>基稀磁半导体材料及其制备方法
129 具有含源-漏扩展反掺杂的P-MOS晶体管的半导体器件
130 稀土掺杂Sn-Te基稀磁半导体高致密度块体材料的制备方法
131 N型轻掺杂区域的形成方法及半导体器件的制造方法
132 栅极、半导体器件及栅极、掺杂区、含氮侧墙基层形成方法
133 用于掺杂有机半导体基质材料的金属络合物
134 应用高电压轻掺杂漏极的互补金属氧化物半导体技术的静电释放保护
135 金属掺杂的低能隙纳米晶半导体光阳极薄膜的制备方法
136 一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法
137 现场外掺杂半导体传输层
138 掺杂纳米颗粒型半导体结
139 强磁场下制备Co掺杂SnO2</sub>稀磁半导体材料的方法
140 一种Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜材料的制备方法
141 基于硅/锗的纳米颗粒油墨、掺杂型颗粒、用于半导体应用的印刷和方法
142 半导体生产中掺杂剂的称量系统
143 掺杂有较衬底原子扩散速度更慢原子的隔离层的半导体器件
144 一种螺环取代芘的蓝光半导体材料及其非掺杂电致蓝光器件
145 半导体制造工艺流程中掺杂栅极和漏、源极的方法
146 一种掺杂铜的氮化铝基稀磁半导体纳米棒的制备方法
147 掺杂的拉长半导体
148 一种基于半导体材料表面掺杂的液晶光学整流器件
149 半导体器件的栅极掺杂方法
150 一种将中子嬗变掺杂横向磁场直拉硅用于大功率半导体器件的新工艺
151 碳掺杂硼氮纳米管/半导体氧化物复合材料及其制备方法和应用
152 铬掺杂氮化钛磁性半导体多晶薄膜的制备方法
153 一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法
154 轻掺杂漏极的形成方法和半导体器件
155 轻掺杂离子注入方法和I/O金属氧化物半导体场效应管
156 一种掺杂稀土元素的化合物半导体材料及其生长方法
157 金属配合物作为p-掺杂剂用于有机半导体基质材料、有机半导体材料和有机发光二极管的用途
158 用于半导体衬底掺杂剂活化的RTP尖峰退火
159 包括掺杂的半导体膜的光伏器件
160 一种无机化合物和该无机化合物作为N型掺杂物的有机半导体制成的电子器件及其制造方法
161 包含镁掺杂半导体薄膜的光伏器件
162 具有交替掺杂源/漏形态的半导体元件
163 半导体的掺杂方法
164 一种Al掺杂ZnO半导体纳米柱的制备方法
165 使用非接触印刷工艺在半导体衬底中形成掺杂区域的方法以及使用非接触印刷来形成该掺杂区域的含掺杂剂的墨水
166 用于制备掺杂的有机半导体层的方法
167 掺杂方法和制造半导体器件的方法
168 半导体器件的栅极预掺杂方法
169 制造纯净或掺杂的半导体材料的非负载的制品的方法
170 含磷掺杂剂以及使用含磷掺杂剂在半导体衬底中形成磷掺杂区域的方法
171 一种具有室温铁磁性的Fe掺杂ZnO稀磁半导体纳米颗粒的制备
172 使用激光退火选择激活注入掺杂剂的半导体器件制作方法
173 制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法
174 等离子体掺杂方法和使用所述方法制造半导体器件的方法
175 一种Ni掺杂AlN基稀磁半导体薄膜材料的制备方法
176 钨掺杂的纳米晶二氧化钛半导体薄膜及其制备方法和应用
177 利用化学气相沉积原位掺杂制备p型IIB-VIA族准一维半导体纳米材料的方法
178 一种基于多能级杂质改变半导体掺杂特性的半导体存储器
179 一种精确控制半导体器件掺杂区掺杂浓度的方法
180 一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法
181 可降低外延时自掺杂的外延片衬底、外延片及半导体器件
182 使用非接触印刷法在半导体衬底中形成硼掺杂区域用的含硼墨和制造这种含硼墨的方法
183 激光脉冲沉积法制备Cu扩散掺杂ZnO基半导体的方法
184 半导体基底同时微结构化和掺杂的设备和方法
185 具有经掺杂的含硅盖层的金氧半导体器件及其制造方法
186 金属掺杂的半导体纳米晶体及其制造方法
187 半导体材料光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离
188 Li和Ni共掺杂的ZnO中的稳定P型半导体特征