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多晶硅掺杂方法 掺杂铸造多晶硅加工生产工艺【小套】

点击数: 更新时间:2021-04-18 10:13
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资料编号:ZL-12747

资料价格:198元


1 轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
2 N型掺杂多晶硅的制造方法
3 具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法
4 为快速擦写存储器装置的多晶硅提供掺杂质浓度的方法
5 具有轻掺杂漏极区的多晶硅薄膜晶体管的制造方法
6 具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET
7 由P+或者N+掺杂多晶硅形成其传输门电路的图像传感器像素
8 带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺
9 用于减小多晶硅高度的SOI底部预掺杂合并e-SiGe
10 多晶硅栅极掺杂方法
11 具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
12 用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂掺杂装置及通过该装置进行掺杂的方法
13 双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻
14 用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
15 一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅
16 一种多晶硅铸锭的掺杂方法及其实现该方法的铸锭设备
17 双掺杂多晶硅刻蚀方法
18 注入气体的装置及利用该装置生成原位掺杂多晶硅方法
19 掺杂多晶硅的平坦化方法以及多晶硅浮栅的制作方法
20 单层多晶硅HBT非本征基区的掺杂方法
21 掺杂栅介质层、多晶硅层及叠层顶层的最小厚度确定方法
22 一种去除磷掺杂多晶硅表面氧化物的方法
23 一种多晶硅预掺杂方法
24 在位掺杂多晶硅栅的方法
25 低掺杂率多晶硅薄膜的制备方法
26 在器件的掺杂多晶硅沟槽上形成钛化硅层的方法
27 多晶硅层掺杂的方法
28 一种沉积掺杂多晶硅机台
29 具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构
30 用无掺杂氧化硅作为多晶硅帽层制作自对准接触孔的方法
31 形成有多晶硅掺杂区的背面接触太阳能电池
32 一种掺杂的铸造多晶硅及制备方法

温馨提示

1、资料格式:资料全部为PDF格式文件,可复制到电脑自由阅读、打印,也可以用手机阅读,方便快捷,没有任何限制,所有文件均保证正常打开。

2、资料说明:资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人姓名、地址/邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。每一项专利文献的内容详略都是不同的,平均每一项4-10页,多的有几十页的。

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