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氮化镓晶体加工方法 氮化镓晶体衬底加工生产工艺【小套】

点击数: 更新时间:2021-03-25 21:01
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资料编号:ZL-12776

资料价格:198元

1 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
2 氮化镓晶体的制造方法
3 氮化镓晶体的制造方法
4 氮化镓晶体的制备方法
5 具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法
6 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
7 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
8 生长氮化镓晶体的方法
9 I I I族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、......
10 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
11 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
12 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
13 氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法
14 氮化镓基光子晶体激光二极管
15 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
16 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
17 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
18 一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管的方法
19 一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法
20 铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
21 一种用溶胶凝胶法制备氮化镓纳米晶体的方法
22 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
23 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
24 氮化镓晶体衬底及其制造方法
25 生长氮化镓晶体的方法
26 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法
27 在基于氮化镓的盖帽区段上有栅接触区的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
28 利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法
29 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
30 用于宽带应用的氮化镓材料晶体管及方法
31 氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片
32 利用固态置换反应制备氮化镓晶体的方法
33 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
34 一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法
35 生长大表面积氮化镓晶体
36 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法
37 提高氮化镓高电子迁移率晶体管线性度的方法
38 氮化镓晶体以及其制备方法
39 氮化镓晶体和晶片
40 氮化镓系外延结晶、其制造方法及场效应晶体管
41 提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法
42 一种氮化镓晶体抛光的方法
43 生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓衬底的方法
44 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法
45 氮化镓晶体衬底
46 提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法
47 一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法
48 生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法
49 具有改进栅极特性的增强型氮化镓晶体管
50 氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制作方法
51 氮化镓晶体管的制作方法
52 高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法
53 氮化镓功率晶体管三电平驱动方法 

温馨提示

1、资料格式:资料全部为PDF格式文件,可复制到电脑自由阅读、打印,也可以用手机阅读,方便快捷,没有任何限制,所有文件均保证正常打开。

2、资料说明:资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人姓名、地址/邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。每一项专利文献的内容详略都是不同的,平均每一项4-10页,多的有几十页的。

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