资料价格：198元

1 一种可消除硅锥现象影响的双硬掩膜CMP工艺
2 后化学-机械平面化(CMP)清洗组合物
3 金属CMP用的抛光组合物
4 用于CMP的含硅烷的抛光组合物
5 蓝宝石的固相反应CMP加工方法
6 用于铜的化学机械抛光(CMP)浆液以及用于集成电路制造的方法
7 用BPSG回流去除CMP划痕的方法和用其制成的集成电路芯片
8 用于金属CMP的组合物和浆料
9 用于氧化物CMP的组合物
10 含固体催化剂的CMP淤浆
11 在器件表面上形成薄平坦层的组合CMP腐蚀法
12 双重CMP垫调节器
13 含硅烷改性研磨颗粒的化学机械抛光(CMP)组合物
14 改进的CMP制品
15 介电质CMP浆液中CsOH的应用
16 修正CMP作业工艺条件的方法
17 CMP装置用挡圈及其制造方法、以及CMP装置
18 一种监控CMP研磨剂的腐蚀抑制剂的方法
19 用于CMP垫修整的增强式末端执行臂装置
20 CMP用研磨垫片、使用它的基板的研磨方法及CMP用研磨垫片的制造方法
21 使用聚合物络合剂对铜CMP的方法
22 用于在CMP期间在晶片上施加向下的力的方法和设备
23 在铜CMP中采用不包含氧化剂的抛光流体的第二步骤抛光方法
24 用于CMP的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法
25 利用含胺聚合物的CMP系统和方法
26 在CMP/清洗系统中现场输送、控制和混合化学药剂和浆体的系统与方法
27 CMP浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
28 硅片IMD CMP后成膜方法
29 浆料成分及利用其的CMP方法
30 用于镍/磷合金的CMP配方
31 附着在固体上并用于增强CMP配方的形成自由基的活化剂
32 含甲醇的二氧化硅基CMP组合物
33 用于CMP的经正电性聚电解质处理的阴离子性研磨颗粒
34 CMP-N-乙酰神经氨酸的制造方法
35 采用含水和低温清洗技术组合的半导体晶圆表面的后-CMP清洗
36 CMP研磨剂及基板的研磨方法
37 用于CMP的涂覆金属氧化物颗粒
38 化学机械抛光(CMP)贵金属
39 软的化学机械平坦化/抛光(CMP)抛光垫的金刚石调理
40 后CMP成孔剂烧蚀方法
41 CMP研磨剂以及研磨方法
42 包括磺酸的CMP组合物和用于抛光贵金属的方法
43 减少微擦痕且利于金属氧化物的去除的金属CMP浆料组合物
44 从底盘上去除CMP抛光垫的设备和方法
45 在图案化的介电层之上电镀铜以增强后续CMP过程的过程均匀性的方法
46 CMP研磨方法和半导体器件制造方法
47 用于监控CMP抛光方法的方法和用于CMP抛光方法的装置
48 CMP方法用研磨液及研磨方法
49 一种提高CMP设备使用效率的方法
50 化学机械抛光(CMP)头、设备和方法以及由此制造的平面化半导体晶片
51 用于金属膜的CMP浆料、抛光方法以及制造半导体器件的方法
52 CMP-N-乙酰神经氨酸的制造方法
53 一种改进深沟槽DRAM钨金属位线的CMP工艺窗的方法
54 用于在CMP中维持高速缓存相关性的协议
55 CMP用研磨液及其制备方法以及基板的研磨方法
56 使用CMP的半导体器件的制造方法
57 改进的用于CMP后清洗的碱性化学处理法
58 改进的用于CMP后清洗的酸性化学处理剂
59 CMP-N-乙酰神经氨酸的制造方法
60 CMP调节器
61 钨CMP后的清洗方法 电话 133~1OO……l8778
62 CMP研磨剂及基板的研磨方法
63 CMP研磨剂以及衬底的研磨方法
64 CMP用研磨浆料
65 制造化学机械平面化(CMP)垫中的原位凹槽的方法以及新颖的CMP垫设计
66 CMP抛光剂以及衬底的抛光方法
67 CMP研磨剂及基板的研磨方法
68 CMP抛光剂以及衬底的抛光方法
69 一种CMP法造纸制浆的方法
70 含金属离子的CMP组合物及使用该组合物的方法
71 包含表面活性剂的化学机械抛光(CMP)组合物
72 CMP工艺中的灵活冲洗步骤
73 CMP分步研磨的方法
74 用于CMP的涂覆金属氧化物颗粒
75 一种用于CMP抛光头的压力控制系统
76 一种用于CMP抛光头多区的气压控制系统
77 一种用于CMP抛光头多腔室的压力控制系统
78 一种用于CMP抛光头的气路正压通路系统
79 一种用于CMP多腔室的气压控制系统
80 铜互连结构的形成方法及用于该方法的CMP设备
81 适用于精细雾化CMP的一种碱性二氧化硅抛光液
82 适用于精细雾化CMP的铜抛光液
83 利用CMP技术的具有平坦表面的沟槽MOS势垒肖特基整流器
84 CMP方法
85 化学机械研磨(CMP)浆料的使用点回收系统
86 一种加速CMP仿真的方法和装置
87 CMP浆料组合物及抛光方法
88 CMP用研磨液以及研磨方法
89 CMP用研磨液以及研磨方法
90 CMP浆流的闭环控制
91 一种二氧化硅基CMP抛光液及其制备方法
92 金属栅CMP后的制程监控方法
93 CMP调节器、用于CMP调节器的硬质磨粒的排列方法以及CMP调节器的制造方法
94 抛光体、CMP抛光设备及半导体器件制造方法
95 CMP辅助剥离制作微图案
96 用于金属的化学机械抛光（CMP）的浆料及其使用
97 CMP用料浆以及制造半导体器件的方法
98 改变浆料中氧化剂的浓度进行化学机械抛光(CMP)的方法
99 微影对准设计及CMP加工波纹表面覆盖量测记号
100 双终点检测控制STI CMP工艺氮化硅厚度稳定性的方法
101 一种控制STI CMP工艺中残余氮化硅厚度稳定性的方法
102 CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
103 改善STI-CMP面内平坦性的方法
104 一种有效控制CMP研磨残膜厚的方法
105 CMP研磨方法、CMP研磨装置和半导体器件的制造方法
106 改善STI-CMP终点检测的方法
107 控制CMP膜厚面内均一性的方法
108 改善氧化膜CMP均一性的方法
109 单组分CMP浆料的氧化铈粉末及其制备方法、浆料组合物及使用该浆料的浅槽隔离方法
110 一种含CMP激酶和CDP激酶的啤酒酵母菌的筛选及应用
111 一种CMP过程中晶圆下液体薄膜中间变量的测量方法
112 碳酸铈粉末及其制备方法、由该碳酸铈粉末制备的氧化铈粉末及其制备方法以及含该氧化铈粉末的CMP浆料
113 CMP过程中晶圆下液体薄膜中间变量的测量装置
114 CMP用研磨液及研磨方法
115 防止CMP过程中产生钻石刮痕的方法
116 用于CMP的抛光流体和方法
117 碳酸铈粉末、二氧化铈粉末、制备该粉末的方法以及包含该粉末的CMP浆料
118 CMP研磨剂以及衬底的研磨方法
119 利用含胺聚合物的CMP系统和方法
120 CMP抛光剂以及衬底的抛光方法
121 半导体器件的CMP方法
122 浆料成分及利用其的CMP方法
123 不含磨料的研磨液及CMP研磨方法
124 连接到固体用以增强CMP配方的自由基形成活化剂
125 用于抛光半导体晶片的CMP浆料及使用该浆料的方法
126 绝缘膜研磨用CMP研磨剂、研磨方法、通过该研磨方法研磨的半导体电子部件
127 用于改善氧化物移除速率的CMP组合物
128 用于CMP后清洁的改进的碱性化学工艺
129 基于超立方体结构的CMP任务分配方法
130 一种晶圆的Cu CMP制程后表面异常残留的清洗方法
131 用于后CMP清洗工艺的改良碱性溶液
132 CMP浆料的辅助剂
133 用于后CMP清洗工艺的含有防腐剂化合物的清洗溶液
134 CMP用研磨液及研磨方法
135 CMP设备研磨头清洗装置
136 CMP工艺条件调整控制方法
137 CMP工艺中清除晶圆表面污染物粒子的方法
138 使用CMP的半导体器件及其制造方法
139 研磨制品、CMP监测系统及方法
140 CMP用研磨液及研磨方法
141 CMP用研磨液 1331^OOl8~778
142 二氧化铈粉末、制备该粉末的方法以及包含该粉末的CMP浆料
143 一种检测CMP引起的碟陷和侵蚀的测试结构及方法
144 CMP研磨剂、CMP研磨剂用添加液以及使用了这些的基板的研磨方法
145 采用有机溶剂制备二氧化铈粉末的方法以及包含该粉末的CMP浆料
146 CMP修整器和其制备方法
147 用于形成金属导线的CMP浆料组合物
148 硅膜用CMP研磨液
149 CMP抛光液供应系统
150 用作磨料的氧化铈粉末和含有该粉末的CMP浆料
151 新的N-乙酰葡糖胺-2-表异构酶以及使用该酶生产CMP-神经氨酸的方法
152 CMP设备的死机报警方法及其装置
153 CMP修整器及其制造方法
154 超细氧化铈粉制备方法及包含其的CMP研磨浆
155 高纯氧化铈粉制备方法及包含其的CMP研磨浆
156 具有镶嵌研磨块的CMP衬垫修整器和相关方法
157 CMP垫修整器
158 极大规模集成电路钨插塞CMP后表面洁净方法
159 具有微填料的阻尼聚氨酯CMP垫片
160 大马士革CMP凹陷程度的监测机构及其电阻测试方法
161 具有混合研磨表面的CMP抛光垫修整器及其相关方法
162 清洁CMP后的晶片的热学方法
163 制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用其的抛光方法及通过其制造的半导体器件
164 基于CMP的推测多线程机制下的独立栈函数调用方法
165 用于制造阻尼聚氨酯CMP垫的体系和方法
166 用于CMP后清洗的配方和方法
167 计算机硬盘磷化铟基片CMP后表面洁净方法
168 研磨液配制方法、研磨液以及金属钨的CMP方法
169 在晶圆上构造铜金属线的方法和铜的CMP方法
170 CMP浆料及使用该浆料进行抛光的方法
171 铌酸锂晶片碱性CMP后的表面洁净方法
172 制备二氧化铈的方法、由该方法制备的二氧化铈和含有该二氧化铈的CMP浆料
173 用于下一代氧化物/金属CMP的优化的CMP修整器设计
174 CMP用研磨液以及研磨方法
175 硬盘磷化铟基板CMP抛光液的制备方法
176 磷酸氧钛钾晶体CMP抛光液的制备方法
177 蓝宝石衬底材料CMP抛光液的制备方法
178 一种面向CMP系统的线程调度方法
179 用于CMP过程控制的在线流出物分析方法和装置
180 一种无CMP的适用于后栅工艺的平坦化制备工艺
181 CMP用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法
182 CMP垫中的三维网状结构
183 用于减少微划痕和提高合格率的在氧化物化学机械抛光(CMP)之前的洗涤器清洁
184 提高外延填充和CMP研磨后光刻标记信号的方法
185 一种CMP机台内置晶片清洗装置
186 一种STI结构CMP方法以及STI结构制作方法
187 提高固定研磨料在研磨垫上进行CMP工艺稳定性的方法
188 一种CMP机台内置清洗结构及方法
189 CMP研磨液和研磨方法
190 用于修整CMP垫的具有平且一致平面形貌的研磨工具及制造方法
191 CMP研磨液、基板研磨方法和电子部件
192 耐腐蚀性CMP修整工件及其制造和使用方法
193 CMP抛光垫及其制造方法
194 CMP工艺缺陷检测方法和浅沟槽隔离的制作方法
195 一种防范STI-CMP划伤的方法
196 一种改善W-CMP后表面平坦性的制造方法
197 一种计算CMP研磨垫使用寿命的方法
198 用于CMP垫的聚氨酯组合物及其制造方法
199 CMP研磨剂以及衬底的研磨方法
200 包含无机粒子与聚合物粒子的化学机械抛光(CMP)组合物
201 一种精确控制CMP研磨盘温度的装置
202 CMP研磨液、以及使用其的研磨方法和半导体基板的制造方法
203 CMP用研磨液及使用其的研磨方法
204 CMP过程中晶圆下液体薄膜中间变量的测量装置
205 CMP边缘压敷环
206 CMP研磨装置
207 一种CMP抛光垫修整器下压力控制系统