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砷化镓材料生产加工方法 砷化镓太阳电池设备设计结构【小套】

点击数: 更新时间:2021-07-01 22:37
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资料编号:ZL-14907

资料价格:198元

1 砷化镓单晶的生长方法
2 砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管
3 高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺
4 砷化镓表面微波放电钝化膜的自体生长方法
5 砷化镓及其器件表面钝化保护膜的制备方法
6 砷化镓场效应(晶体)管沟道温度测试装置
7 多层外延砷化镓的双源法和装置
8 砷化镓/磷化铟异质气相外延技术
9 砷化镓衬底上的混合并质外延
10 砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法
11 一种砷化铟、砷化镓的化学还原制备方法
12 砷化镓、磷化镓衬底干处理方法
13 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法
14 砷化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片
15 砷化镓表面清洁方法
16 用于塑封的砷化镓芯片钝化方法
17 一种砷化镓PIN二极管及其制作方法
18 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
19 砷化镓晶片的激光加工方法
20 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法
21 砷化镓/铝镓砷红外量子阱材料峰值响应波长的检测方法
22 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
23 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法
24 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料
25 磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法
26 一种从砷化镓工业废料中综合回收镓和砷的方法
27 一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法
28 低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计
29 一种无液封合成砷化镓多晶材料的工艺方法
30 中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法
31 采用砷化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法
32 谐振腔增强的n型砷化镓远红外探测器的反射镜
33 氮化砷化镓铟系异质场效应晶体管及其制造方法和使用它的发送接收装置
34 从砷化镓工业废料中回收镓和砷的方法
35 磁力运动远望图形砷化镓半导体激光近视弱视治疗仪
36 低温生长砷化镓式半导体可饱和吸收镜
37 改进砷化镓晶片表面质量的方法
38 性能提高的砷化镓异质结双极晶体管及其制造方法
39 纳米氧化铈的制备方法及其在砷化镓晶片化学机械抛光中的用途
40 添加硅的砷化镓单结晶基板
41 6英寸半绝缘砷化镓中EL2浓度的测量方法
42 一种砷化镓晶片清洗方法 客服QQ:1 1342 683 95
43 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液
44 大尺寸砷化镓单晶结构的缺陷检测方法
45 水平三温区梯度凝固法生长砷化镓单晶的方法
46 一种砷化镓单片微波集成电路的可靠性评估方法
47 适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统
48 砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料
49 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法
50 砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法
51 砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
52 砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺
53 离子注入砷化镓吸收镜
54 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
55 砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
56 提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法
57 宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法
58 一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备
59 砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法
60 一种用于砷化镓晶片的抛光液及其制备方法
61 一种用于砷化镓晶片的精抛液
62 砷化镓/空气型可调谐滤波器及制作方法
63 砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器及制作方法
64 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
65 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管
66 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
67 一种在砷化镓基片上外延生长钛酸锶薄膜的方法
68 砷化镓晶体生长用双料壁石英玻璃管及其制备方法
69 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法
70 一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管外延材料
71 砷化镓表面自体氧化物清洗、纯化及淀积Al2</sub>O3</sub>介质的方法
72 新型三结砷化镓太阳电池
73 一种PBN坩埚及利用其进行砷化镓晶体生长的方法
74 一种制作在金属薄膜的砷化镓高效能太阳能电池及其制作方法
75 一种延长砷化镓LED寿命的合金方法
76 超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹辐射源及制作方法
77 砷化镓表面化学腐蚀方法和化学腐蚀液
78 一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法
79 同时去除砷化镓晶片生产加工废水中砷和COD的处理方法
80 一种砷化镓晶片生产加工废水的除砷装置及方法
81 生长低位错非掺杂半绝缘砷化镓单晶的装置
82 一种用于砷化镓单晶生长的光学测径装置
83 砷化镓脑血流量三维成像仪
84 异质面砷化镓背场太阳能电池
85 多倍频程砷化镓微波单片集成反射型开关
86 多倍频程砷化镓微波单片数字、模拟移相器
87 超宽带砷化镓单片数字、模拟移相器
88 多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器
89 直流到50千兆赫低相移多功能砷化镓微波单片电调衰减器
90 2-3英寸砷化镓定向划线尺
91 砷化镓光接收模块 133 1OOl87 78
92 砷化镓发电模组
93 车载车距砷化镓半导体激光测距仪
94 砷化镓复合电池板
95 单晶硅、砷化镓、蓝宝石加工设备
96 一种砷化镓单晶炉电气控制系统
97 一种空间用三结砷化镓太阳电池的下电极去底腐蚀系统
98 一种用于砷化镓单晶生长光学测径的方法
99 一种砷化镓基半导体-氧化物绝缘衬底及其制备方法
100 可调谐能量和脉冲频率的运动图形砷化镓激光弱视矫治仪
101 自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法
102 长波长砷化铟/砷化镓量子点材料
103 一种砷化镓单片微波集成电路功率放大器热沉的制作方法
104 内圆切片机切割水平砷化镓单晶片的工艺
105 制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品
106 一种提高砷化镓单晶利用率的生长方法
107 一种发红光的掺氧砷化镓多晶薄膜的制备方法
108 一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法
109 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解装置
110 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解装置
111 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解方法
112 砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
113 单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构
114 砷化镓单晶衬底及制造砷化镓单晶的方法
115 一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法
116 一种用于砷化镓晶片的抛光组合物及其制备方法
117 一种砷化镓多晶无液封合成方法和装置
118 砷化镓PIN二极管的非线性等效电路及其应用
119 砷化镓单片集成数控实时延迟线电路
120 一种砷化镓多晶尾料的合成利用方法
121 一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法
122 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法
123 采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法
124 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
125 一种砷化镓晶片抛光后的清洗方法及甩干机
126 在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法
127 空间用三结砷化镓太阳电池的下电极去底腐蚀方法
128 一种砷化镓/锑化镓太阳电池的制作方法
129 砷化镓或锗单晶生长方法
130 一种砷化镓基单片光电子集成接收机前端结构及制作方法
131 一种空间辐射环境下砷化镓太阳能电池寿命预示方法
132 多结砷化镓太阳电池
133 聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法
134 废弃物砷化镓的镓及砷纯化回收方法
135 微波大功率,低限幅电平的砷化镓PIN管限幅器单片电路
136 LED砷化镓衬底基片去蜡清洗剂
137 一种具有吸氧钛盖帽层的砷化镓MOS器件及其制备方法
138 一种降低砷化镓同位素电池暗电流的方法
139 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液
140 空间用GaAs/Ge单结砷化镓太阳电池阵
141 GaAs/Ge单结砷化镓太阳电池电阻焊接系统
142 制备具有低光学吸收系数的掺杂型砷化镓衬底晶片的方法
143 一种砷化镓基多结同位素微电池
144 一种应用于垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法生长砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统
145 高斯掺杂的砷化镓肖特基变容二极管及其制作方法
146 砷化镓晶体生长用双料壁石英坩埚及其制备方法
147 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法
148 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备
149 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法
150 低温下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺
151 一种砷化镓单晶炉电气控制系统
152 制备硅基砷化镓材料的方法
153 砷化镓衬底改进的快速减薄方法
154 锗基赝砷化镓衬底的制备方法
155 基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法
156 砷化镓单片微波功放的电应力极限评估方法
157 一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法
158 一种砷化镓单晶的生长方法
159 用于砷化镓光伏器件的自-旁路二极管功能
160 制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法
161 一种碲化锌/砷化镓异质外延层的制备方法
162 一种砷化镓基几何巨磁电阻器件及其制备方法
163 一种砷化镓晶体生长用石英坩埚及其制备方法
164 砷化镓晶体生长用石英玻璃管的制备方法
165 一种用于液相外延用富镓的砷化镓熔体凝固的方法
166 基于微机械砷化镓基固支梁的频率检测器及检测方法
167 基于微机械砷化镓基的悬臂梁频率检测器及检测方法
168 基于微机械砷化镓基固支梁的相位检测器及检测方法
169 基于微机械砷化镓基的悬臂梁相位检测器及检测方法
170 一种砷化镓光电与光热共生系统
171 一种砷化镓基半导体-氧化物绝缘衬底
172 一种生长长尺寸半绝缘砷化镓单晶的装置
173 生长砷化镓单晶的温控炉
174 可谐调能量和脉冲频率的运动图形砷化镓激光弱视矫治仪
175 一种生长砷化镓单晶的抽真空装置
176 砷化镓晶体生长用热场装置
177 砷化镓单晶开管热处理装置
178 砷化镓单晶制备设备
179 一种VGF法砷化镓单晶用脱舟器
180 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解装置
181 一种将砷化镓分离为金属镓与金属砷的真空分解装置
182 中压冷壁半绝缘砷化镓单晶生长炉
183 多结砷化镓太阳电池
184 一种应用于垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法生长砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统
185 砷化镓聚光太阳能发电站热能利用系统
186 砷化镓太阳能电池用保护罩
187 砷化镓太阳能电池用聚光菲涅尔透镜

温馨提示

1、资料格式:资料全部为PDF格式文件,可复制到电脑自由阅读、打印,也可以用手机阅读,方便快捷,没有任何限制,所有文件均保证正常打开。

2、资料说明:资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人姓名、地址/邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。每一项专利文献的内容详略都是不同的,平均每一项4-10页,多的有几十页的。

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