干蚀刻方法 干蚀刻后处理技术【小套】
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1 利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法
2 金属薄膜干蚀刻的后处理方法及蚀刻与去光阻的整合系统
3 金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法
4 敏射线树脂组合物及改进该组合物的防干蚀刻性能的方法
5 一种晶片干蚀刻的装置及控制方法
6 用于干蚀刻反应室的压力计感应器的缓冲器
7 掩膜形成方法其形成用功能层、干蚀刻法及信息记录媒体制法
8 干蚀刻装置及干蚀刻方法
9 干蚀刻后的洗涤液组合物及半导体装置的制造方法
10 干蚀刻后处理方法
11 干蚀刻装置以及安装于其上的气孔装置
12 干蚀刻方法及信息记录媒体
13 反应性离子蚀刻用掩膜材料、掩膜以及干蚀刻方法
14 干蚀刻方法
15 干蚀刻方法
16 干蚀刻方法、微细结构形成方法、模板及模板的制造方法
17 干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法
18 干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法
19 干蚀刻设备及干蚀刻方法
20 干蚀刻装置，客服QQ:113~4268`395
21 干蚀刻剂以及干蚀刻方法
22 具有直立式洗净器的干蚀刻机台
23 干蚀刻方法
24 干蚀刻方法
25 干蚀刻方法
26 干蚀刻方法
27 干蚀刻方法、微细结构形成方法、模板及模板的制造方法
28 包括蚀刻装置和清洗装置的干蚀刻机
29 干蚀刻氧化物半导体膜的方法
30 干蚀刻装置及方法
31 干蚀刻方法
32 干蚀刻装置
33 干蚀刻装置
34 半导体元器件的干蚀刻方法
35 无需光刻胶或干蚀刻而形成图案化硬掩膜(RFP)的工艺顺序
36 干蚀刻剂以及使用其的干蚀刻方法
37 金属膜的干蚀刻方法
38 一种基于干蚀刻超薄触摸屏的生产工艺
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2、资料说明：资料都是国家专利文献原版全文内容，含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图（部分设备类有），以及发明人姓名、地址/邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。每一项专利文献的内容详略都是不同的，平均每一项4-10页，多的有几十页的。
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