铜金属化方法 铜金属化加工处理技术【小套】
w
w
w
.
w
o
l
o
n
g
g
a
n
g
.
c
o
m
电
话
/
微
信
：
1
3
3
1
0
0
1
8
7
7
8
资料编号：ZL-20710w
w
.
w
o
l
o
n
g
g
a
n
g
.
c
o
m
电
话
/
微
信
：
1
3
3
1
0
0
1
8
7
7
8
资料价格：198元
1 铜金属化工艺
2 氮化铝铜金属化陶瓷基板
3 用于铜金属化的ALD氮化钽的集成
4 利用不溶阳极进行硅晶片的铜金属化
5 铜金属化自形成阻挡层低温退火方法
6 一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法
7 用于铜金属化集成电路的丝焊工艺
8 基板的直接镀铜金属化制造工艺
9 铝和铜金属化的绝缘材料
10 具有减少的界面空洞的用于铜金属化的焊接点
11 一种IGBT芯片及其正面铜金属化结构的制作方法
12 功率半导体芯片的铜金属化结构及其制备方法
13 功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法
14 功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法
15 一种设有无底铜金属化盲孔的PCB的制作方法
16 具有变化的铜金属化成分的阻障层的制造方法
17 在含铜金属化上形成电介质的工艺和电容器装置
18 作为用于铜金属化的阻挡层的原子层沉积氮化钽和α相钽
19 适合于半导体结构中的铜金属化的线接合技术与结构
20 用于具有增加可靠度之铜金属化的焊垫结构以及其制造方法
21 一种集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构及其制备方法
22 作为用于铜金属化的阻挡层的原子层沉积氮化钽和α相钽
23 与半导体上绝缘通孔中的铜金属化层接触的方法和结构
24 在铜金属化中用于自形成阻障工艺的电子迁移增进方法
25 铜金属化制作工艺的低电阻值阻挡层的制造方法，客服QQ:113·426~8395
26 在铜金属化集成电路之上具有保护性防护层可焊金属接头的接触点的结构和方法
27 用于将选择性的低温钌沉积集成到半导体器件的铜金属化中的方法
温馨提示
1、资料格式：资料全部为PDF格式文件，可复制到电脑自由阅读、打印，也可以用手机阅读，方便快捷，没有任何限制，所有文件均保证正常打开。
2、资料说明：资料都是国家专利文献原版全文内容，含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图（部分设备类有），以及发明人姓名、地址/邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。每一项专利文献的内容详略都是不同的，平均每一项4-10页，多的有几十页的。
在线订购
相关阅读
站内搜索
行业栏目
建筑建材
能源燃料
化学化工
农林牧渔
金属加工
矿产资源
机械设备
食品饮料
综合系列
车/船/飞机
电学电器
关于我们
其他未分类
农林牧渔（宝典）
油漆涂料（宝典）
胶粘合剂（宝典）
新型材料（宝典）
环保再生（宝典）
化工化学（宝典）
橡胶树脂（宝典）
能源燃料（宝典）
建筑建材（宝典）
金属加工（宝典）
食品饮料（宝典）
名词术语
联系方式
公司：上海启文信息技术有限公司
网址：www.wolonggang.com
固话：021-51021668
手机：13310018778
微信：S13310018778（长按可复制）
Q Q：863888190
地址：上海市松江区广富林路658弄242号万达广场号商务楼905室
