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硅膜 含硅膜加工方法 二氧化硅膜生产工艺技术【小套】

点击数: 更新时间:2021-01-09 13:02
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资料编号:ZL-15945

资料价格:198元

1 硅烷组合物、硅膜的形成方法和太阳能电池的制造方法
2 多晶态硅膜的制造方法和制造装置、以及半导体装置及其制造方法
3 制造具有碳化硅膜的半导体器件的方法资料
4 氧化硅膜制作方法
5 提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法
6 氮化硅膜、半导体装置及其制造方法
7 高级硅烷组合物及使用该组合物的硅膜形成方法
8 氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置
9 低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺
10 多晶硅膜的制造方法
11 生产具有含有有机着色剂的二氧化硅膜的积层材料的方法和由此生产的积层材料
12 一种硅膜压阻压力传感器及其制造方法
13 一种硅膜电容压力传感器及其制造方法
14 一种集成硅膜热流量传感器及其制造方法
15 硅膜改性弹性玻璃毛细管柱的制备
16 结晶硅膜、半导体器件及其制造方法
17 从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
18 形成微晶硅膜的方法、光电元件及其制造方法
19 制备薄硅膜的方法
20 氧化硅膜的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体装置、显示装置和红外光照射装置
21 玻璃的二氧化硅膜织构化
22 硅膜成形方法
23 硅膜的形成方法和喷墨用油墨组合物
24 高抗激光损伤阈值疏水增透二氧化硅膜的制备方法
25 多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法
26 由含表面活性剂的溶液制备的中孔二氧化硅膜及其制备方法
27 除去氮化硅膜的方法
28 氧化硅膜的制造方法、其控制程序、存储介质和等离子体处理装置
29 用于高性能CMOS应用的超薄Hf掺杂氮氧化硅膜及制造方法
30 使用透明基板制造多晶硅膜的方法和装置
31 增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法
32 采用磁控溅射在碳化硅反射镜表面涂覆硅膜的方法
33 二氧化硅膜形态的控制
34 通过后PECVD沉积UV处理增加氮化硅膜的拉伸应力的方法
35 活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
36 硅膜形成用组合物和硅膜的形成方法资料
37 氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法
38 硅膜传感器芯片的封装
39 用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法
40 非晶质硅膜的结晶方法
41 掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法与金属内连线的制造方法
42 多晶硅膜的形成方法
43 多晶硅膜的形成方法
44 多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
45 生产结构体的方法和氧化硅膜用蚀刻剂
46 以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案
47 硅烷聚合物及硅膜的形成方法
48 借由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化硅膜的性质及均一性的方法
49 氧化硅膜的成膜方法以及成膜装置
50 形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备
51 生产氢化碳氧化硅膜的方法
52 氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统
53 氮化硅膜的制造方法
54 使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法
55 一种介孔二氧化硅膜的制备方法
56 一种氮化硅膜的生长方法
57 氮化硅膜形成方法及装置
58 二氧化硅膜、该膜的形成材料和相关产品、及其制造方法
59 氮氧化硅膜的形成方法、形成装置以及程序
60 薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法
61 应力被调节的单层氮化硅膜及其沉积方法
62 硅膜形成装置
63 用于制备受控应力的氮化硅膜的方法
64 具有控制应力的氮化硅膜
65 用于制造晶体管的低热预算氮化硅膜及其制备方法
66 制备氮化硅膜的方法
67 氧化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法及计算机存储介质
68 多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶体管的制造方法
69 一种介孔二氧化硅膜及一种抗生素制药废水净化处理方法
70 以六氯乙硅烷进行的含硅膜的沉积
71 含硅膜的蚀刻方法以及装置
72 用于为具有降低的光致衰退的光伏器件淀积非晶硅膜以改进稳定性能的方法
73 一种稻壳灰制备二氧化硅膜分离提纯的方法
74 制备含硅膜的方法
75 苯基修饰有机-无机杂化微孔二氧化硅膜制备方法
76 一种用于水煤气变换膜反应器的疏水二氧化硅膜制备方法
77 选择性地抛光碳化硅膜的方法
78 用于测量太阳能电池片氮化硅膜致密性的溶液及其使用方法
79 一种具有无机硅膜层的医药包装用玻璃瓶及其生产工艺
80 多晶硅膜检测装置以及检测方法
81 非现场情况下处理氮化硅膜以保证其高张应力的方法
82 用于蚀刻含硅膜的方法
83 氮化硅膜的形成方法
84 一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法
85 硅膜和锂二次电池
86 沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法
87 基于硅烷的二氧化硅膜形成方法以及半导体器件制造方法
88 硅膜制备方法
89 氮化硅膜沉积设备和沉积方法
90 一种硅膜的制备方法
91 氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池
92 一种介孔二氧化硅膜的制备方法
93 改善锗硅膜层厚度均一性的方法
94 用于制造硅膜的方法、硅膜和具有硅膜的光电子半导体器件
95 一种分离CH4</sub>/CO2</sub>气体的二氧化硅膜及其制备方法
96 一种用于晶圆多晶硅膜生长过程中气体弥散装置及生长工艺
97 用于沉积碳化硅和碳氮化硅膜的设备和方法
98 在硅膜中心部位设置四端单元件的力敏器件
99 矩形双岛硅膜结构过压保护型压力传感器
100 多晶硅膜微压传感器
101 中频反应磁控溅射制备二氧化硅膜设备
102 一种具有二氧化硅膜的光伏玻璃资料
103 氮化硅膜沉积设备
104 一种多孔氧化硅膜的制备方法
105 边缘限定硅膜生长工艺的晶体生长设备与方法
106 纳米硅膜生物传感器
107 利用微晶硅膜作为浮置闸以促进快闪式存储器性能的方法
108 单晶硅膜的制造方法
109 环状硅氧烷化合物、含硅膜形成材料及其用途
110 用于产生结晶方向受控的多晶硅膜的系统和方法
111 去除硅片背面氮化硅膜的方法
112 改性多孔质二氧化硅膜的制造方法、由该制造方法得到的改性多孔质二氧化硅膜、及含有该改性多孔质二氧化硅膜......
113 含硅膜的等离子体增强周期化学气相沉积
114 用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物
115 用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光浆料组合物及其制备方法
116 氮化硅膜、半导体装置及其制造方法
117 多晶硅膜阻值的测试方法
118 硅膜的干刻蚀方法
119 氮化硅膜的干刻蚀方法
120 氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件
121 用流动梯度设计沉积均匀硅膜的方法和装置
122 等离子增强循环沉积氮化金属硅膜的方法
123 利用硅膜柱吸附RNA的RNA提取方法
124 用于溅镀张力氮化硅膜的系统和方法
125 多晶硅膜的形成方法
126 微晶硅膜形成方法以及太阳电池
127 通过来自乙硅烷前体的远程等离子体CVD的高质量氧化硅膜
128 用于边缘限定硅膜生长法生产带状多晶硅的装置
129 氮化硅膜湿法腐蚀工艺方法
130 等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法和半导体装置的制造方法
131 新颖沉积-等离子硬化循环处理以提高二氧化硅膜品质方法
132 等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置
133 多晶硅膜层的制造方法
134 通过化学汽相淀积使氮化硅膜和/或氧氮化硅膜淀积的方法
135 用以成形非晶硅膜的连续腔室
136 非晶硅膜的批次成形系统
137 由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法
138 用于选择性沉积含硅膜的间断式沉积工艺
139 具有预热功能的非晶硅膜成形系统
140 等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法及应力氮化硅膜的形成方法
141 形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备
142 含硅膜形成用材料、以及含硅绝缘膜及其形成方法
143 硅膜用CMP研磨液
144 在多晶硅膜层中形成窄沟槽结构的制备方法
145 氮化硅膜和非易失性半导体存储器件
146 氮化硅膜的形成方法、非易失性半导体存储装置的制造方法、非易失性半导体存储装置和等离子体处理装置
147 去除氮氧化硅膜的方法
148 嵌入式单晶硅腔体的六边形硅膜压阻式压力传感器及方法
149 形成含硅膜的方法
150 一种含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃及其制备方法
151 一种去除正面化学气相沉积层二氧化硅膜的方法
152 多孔质二氧化硅前体组合物及其制备方法、多孔质二氧化硅膜及其形成方法、半导体元件、图像显示装置及液晶显......
153 晶体硅太阳能电池各色氮化硅膜制备方法
154 含硅膜的蚀刻方法及装置
155 矩形硅膜二维风速风向传感器
156 圆形硅膜二维风速风向传感器资料
157 低湿蚀刻速率的氮化硅膜
158 去除氮氧化硅膜残留物的方法
159 氧化硅膜的形成方法、氧化硅膜、半导体器件、以及半导体器件的制造方法
160 硅膜/二氧化钛纳米管阵列复合结构的制备方法
161 无模板笼形硅和笼形硅膜
162 氧化硅膜、氧化硅膜的形成方法及等离子体CVD装置
163 溶胶凝胶法制备疏水性介孔二氧化硅膜
164 非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置
165 硅膜的形成方法及其形成装置
166 增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法
167 建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法
168 溅射用靶材、含硅膜的形成方法和光掩模坯
169 微晶硅膜的制造方法及半导体装置的制造方法
170 结晶硅膜的形成方法、使用了该结晶硅膜的薄膜晶体管以及显示装置
171 太阳能电池板非晶硅膜均匀沉积专用装置
172 向钨膜或者氧化钨膜上形成氧化硅膜的成膜方法
173 在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法
174 结晶性硅膜的成膜方法和等离子体CVD装置
175 氮化硅膜的成膜方法和半导体存储装置的制造方法
176 氮化硅膜的成膜方法和成膜装置
177 微晶硅膜形成方法以及太阳电池
178 含金属-硅膜的脉冲化学气相沉积
179 用等离子激发形成氮化硅膜的方法
180 一种纯质碳化硅膜管支撑体及其制备方法
181 二氧化硅膜应力监测方法以及半导体器件制造方法
182 用于形成低温多晶硅膜的装置和方法
183 氮化硅膜制备装置
184 一种疏水性介孔二氧化硅膜的溶胶-凝胶制备方法
185 氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法
186 硅膜的形成方法及其形成装置
187 非晶硅膜的成膜方法及成膜装置
188 用于远程等离子体源辅助的含硅膜沉积的方法和装置
189 一种选择性发射极电池片二氧化硅膜的制备方法
190 用于硅膜的选择性蚀刻
191 硅片表面的氮化硅膜的清洗液及清除方法
192 带含无机微粒的氧化硅膜的玻璃基板的制造方法
193 一种油田用钻固井硅膜承压剂及其制备方法
194 掺氧半绝缘多晶硅膜及其制作方法
195 优化硅膜厚度均匀性的模具形状
196 含硅膜的蚀刻装置
197 一种准对称薄层结构二氧化硅膜的制备方法
198 用于化学机械抛光包含氧化硅电介质和多晶硅膜的衬底的含水抛光组合物和方法
199 氮氧化硅膜及其形成方法以及半导体器件
200 一种超疏水性纳米二氧化硅膜的制备方法
201 改善浅槽隔离氧化硅膜表面平坦化的方法
202 非晶质氮化硅膜及其制造方法
203 平滑的含硅膜资料

温馨提示

1、资料格式:资料全部为PDF格式文件,可复制到电脑自由阅读、打印,也可以用手机阅读,方便快捷,没有任何限制,所有文件均保证正常打开。

2、资料说明:资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人姓名、地址/邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。每一项专利文献的内容详略都是不同的,平均每一项4-10页,多的有几十页的。

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