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薄膜衬底加工方法 带薄膜的衬底生产技术 薄膜衬底加工方法【小套】

点击数: 更新时间:2021-02-16 17:41
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资料编号:ZL-8528

资料价格:198元

1 在玻璃衬底上淀积薄膜的设备和方法
2 液相外延生长薄膜的衬底夹具
3 非单晶薄膜、带非单晶薄膜的衬底、其制造方法及其制造装置、以及其检查方法及其检查装置、以及利用该非单晶......
4 ZnAl2</sub>O4</sub>/α-Al2</sub>O<su......
5 在衬底上电沉积具有最小边缘隔绝的均匀薄膜的方法和设备
6 屈服性衬底上制备外延异质晶体和薄膜材料的方法
7 用于贴覆到衬底上的表面薄膜
8 固定薄膜溅射用衬底的装置及用此装置来固定衬底的方法
9 薄膜半导体外延衬底及其生产工艺
10 高温超导薄膜衬底台阶本征约瑟夫森结阵及其制备方法
11 作为半导体外延薄膜生长用衬底的方铁矿结构氧化物
12 氧化锌薄膜和使用该膜的衬底及光电转换器的制造方法
13 衬底上薄膜的特性监测设备
14 在玻璃衬底上形成的薄膜图形结构
15 具有改进的绝缘图形的绝缘体上硅薄膜衬底
16 半导体衬底和薄膜器件及其制造方法以及阳极化处理装置
17 用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体
18 薄膜器件的转移方法、薄膜器件、薄膜集成电路装置、有源矩阵衬底、液晶显示装置及电子设备
19 在玻璃衬底上形成结晶半导体薄膜
20 薄膜构图的衬底及其表面处理
21 一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法
22 半导体衬底、半导体薄膜以及多层结构的制造工艺
23 可去除薄膜
24 测量薄膜
25 复合衬底、使用该衬底的薄膜电致发光器件以及该器件的生产方法
26 一种在衬底上沉积气致变色WO3</sub>薄膜的方法
27 复合衬底、用它的薄膜发光元件及其制造方法
28 一种在衬底上制备气致变色WO3</sub>薄膜的方法
29 多晶半导体薄膜衬底及其制造方法、半导体器件和电子器件
30 在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法
31 聚合物涂覆的薄玻璃薄膜衬底
32 一种制备金属衬底薄膜的加热方法
33 在不锈钢衬底上制备碳纳米管薄膜的方法
34 衬底薄膜烧蚀方法及其设备
35 基于Al2</sub>O3</sub>衬底的GaN薄膜的生长方法
36 猪薄膜内衬贮精瓶及自动输精装置
37 一种在MgO或Si衬底上超薄NbN超导薄膜的生长方法
38 SnO2</sub>为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法
39 InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
40 将薄膜电阻器嵌入电力输送网络的衬底中
41 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料
42 在放置于射频等离子体之外的衬底上形成薄膜的技术
43 一种在CdZnTe衬底上制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的方法
44 基于硅衬底上的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用
45 薄膜晶体管阵列衬底的制造方法、及薄膜晶体管阵列衬底
46 衬底支持装置及薄膜晶体管阵列面板的制造方法
47 从衬底上去除薄膜的气态方法和设备
48 晶化方法,晶化设备,处理衬底,薄膜晶体管及显示器设备
49 薄膜晶体管阵列衬底的制造方法
50 薄膜半导体衬底及制造方法、薄膜半导体器件及制造方法
51 用于生成氧化锌薄膜的钨酸锌单晶衬底的制备方法
52 利用氢化物汽相外延方法在硅衬底上生长GaN薄膜
53 薄膜晶体管衬底和制造方法
54 射频磁控溅射法制备γ-LiAlO2</sub>单晶薄膜覆盖层衬底的方法
55 液晶显示器及用于其的薄膜晶体管衬底
56 薄膜电容器、薄膜电容器内置型高密度组装衬底、及薄膜电容器的制造方法
57 脉冲激光沉积制备γ-LiAlO2</sub>单晶薄膜覆盖层衬底的方法
58 具有γ-LiAlO2</sub>单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法
59 引线的接触结构及其制造方法
60 在具有图形的绝缘硅基衬底上制作硅薄膜的方法
61 在γ-LiAlO2</sub>衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法
62 衬底表面清洗方法、薄膜制造方法、半导体装置及其制法
63 具有减小尺寸带基薄膜的带型电路衬底
64 从衬垫上剥下薄膜的方法和设备
65 在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法
66 薄膜光电晶体管
67 一种在铝酸镁衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
68 在铝酸镁衬底上高质量锌极性ZnO单晶薄膜的制备方法
69 薄膜晶体管阵列衬底及其制造方法及具有其的液晶显示器
70 改进衬底上薄膜区域内诸区及其边缘区内均一性以及这种薄膜区域之结构的激光结晶处理工艺与系统
71 液滴喷射装置、形成薄薄膜的方法及用于显示装置的衬底
72 柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法
73 柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法
74 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
75 薄膜晶体管衬底和其制造方法
76 增强塑料衬双壁罐的树脂薄膜被覆方法
77 单面抛光衬底外延薄膜厚度和光学参数的测量方法
78 薄膜晶体管衬底及其制造方法、具有其的液晶显示装置以及制造该液晶显示装置的方法
79 在异质衬底上制作晶体半导体薄膜的方法
80 在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法
81 衬底上薄膜的制作方法
82 薄膜晶体管阵列衬底及其制造方法
83 制造薄膜集成电路和元件衬底的方法
84 在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法
85 增加悬浮薄膜接脚和衬底的连接点强度的方法
86 薄膜声表面波器件的非晶金刚石增频衬底及其制备方法
87 用于碗、盆、盒的卫生里衬或包装薄膜
88 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法
89 处理薄膜衬底的方法
90 在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法
91 在具有深槽图形的硅基衬底上制作硅薄膜的方法
92 用于制备高质量氧化锌薄膜的蓝宝石衬底原位处理方法
93 硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料及制备方法
94 薄膜图案形成衬底、器件的制造方法、电光装置、电子机器
95 在多孔衬底上制备氧化物致密陶瓷薄膜的方法
96 具有硅衬底的氧化锌薄膜及制备方法
97 在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法
98 薄膜晶体管衬底及其制造方法
99 使用脉冲ALD技术在衬底上沉积薄膜的方法
100 利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法
101 阻气薄膜、衬底薄膜和有机电致发光装置
102 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法
103 薄膜晶体管阵列衬底及其金属层的制作方法
104 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
105 具有薄膜电容器结构的集成电路封装衬底
106 一种在蓝宝石衬底材料上外延生长AlX</sub>Ga1-X</sub>N单晶薄膜......
107 薄膜晶体管衬底及其制造方法
108 制备显示器件的方法以及由此制备的显示器件和薄膜晶体管衬底
109 一种在Si(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
110 薄膜晶体管衬底及其制造方法
111 源极/漏极电极、薄膜晶体管衬底及其制备方法和显示器件
112 薄膜晶体管衬底和具有该衬底的液晶显示器器件
113 静电吸盘、薄膜制造设备及制造方法和衬底表面处理方法
114 膜图案化法、薄膜晶体管制法、薄膜晶体管衬底及其制法
115 具有改善层间粘着的薄膜晶体管衬底
116 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
117 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
118 半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法
119 栅极驱动器和薄膜晶体管衬底及其液晶显示器
120 薄膜构图的衬底及其表面处理
121 薄膜构图的衬底及其表面处理
122 薄膜构图的衬底及其表面处理
123 硅衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途
124 硅(102)衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途
125 具有绝热衬垫的薄膜保险丝相变化单元及其制造方法
126 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
127 薄膜构图的衬底及其表面处理
128 在SiO2</sub>衬底上生长ZnO薄膜的方法
129 在金属钛基片衬底上生长钛酸锶钡薄膜的方法
130 液相外延生长薄膜的衬底夹具
131 一次性洗脸盆、桶卫生薄膜衬套
132 浴缸用一次性卫生薄膜衬垫
133 浴缸用一次性塑料薄膜内衬
134 穿孔衬板复合微穿孔薄膜吸声结构
135 一次性薄膜衬盆
136 在硅基万能衬底上生长多层异质外延薄膜
137 带有匀温-隔离组件的制备氧化物薄膜用衬底加热系统
138 用激光结晶化法加工衬底上半导体薄膜区域的方法和屏蔽投影系统
139 使用低介电常数绝缘层的薄膜晶体管衬底及其制造方法
140 SiO2</sub>衬底上Nd:YVO4</sub>光波导薄膜器件及制备
141 硅衬底上生长II-VI族材料薄膜的方法
142 薄膜晶体管阵列衬底及其制造方法
143 一种用于把例如粘接的、覆盖的或有色的材料的薄膜从衬带涂敷到一承受物上的手持装置
144 薄膜晶体管衬底及其制造方法
145 绝缘衬底上制备高质量半导体晶体薄膜的方法
146 具有薄膜式衬底的热电模块
147 一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
148 陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池
149 一种薄膜太阳能电池衬底制备工艺
150 其上接合有GaN薄膜的衬底及其制备方法以及基于GaN的半导体器件及其制备方法
151 感光性组合物、感光性树脂转印薄膜、感光性间隔柱的制法、液晶显示装置用衬底及液晶显示装置
152 一种以多孔衬底材料为支撑的梯度结构薄膜的制备方法
153 薄膜晶体管衬底、薄膜晶体管的制造方法以及显示装置
154 薄膜晶体管阵列衬底、其制造方法以及显示装置
155 柔性衬底硅基薄膜太阳电池
156 柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法
157 带有薄膜的透明衬底和使用这类带有薄膜的透明衬底用于制造带有电路图案的透明衬底的方法
158 在单晶衬底上制备CeO2</sub>隔离层薄膜的方法
159 硅衬底薄膜膜厚的测量方法
160 用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列衬底和X射线探测器
161 衬底表面清洗方法、薄膜制造方法、半导体装置及其制法
162 柔性衬底薄膜太阳电池及专用设备
163 用于制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜的衬底材料
164 在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法
165 电容耦合等离子体装置及在硅衬底上生长碳化硅薄膜的方法
166 在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法
167 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法
168 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法
169 柔性衬底生长n型ZnMgO掺Ga半导体薄膜的方法
170 在柔性衬底上制备透明导电薄膜及透明异质结的方法
171 一种在疏水性衬底上制备聚合物胶体晶体薄膜的方法
172 导电玻璃衬底上丝网印刷制备复合纳米金刚石薄膜中的热烧结处理方法
173 在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法
174 玻璃衬底上印刷复合纳米金刚石薄膜使用的浆料及其制备方法
175 在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法
176 柔性石墨衬底多晶硅薄膜的制备方法
177 采用薄膜识别控制器充气和密封包装衬垫的方法和设备
178 一种提高铝酸锂衬底上非极性a面GaN薄膜质量的方法
179 一种在铝酸锂衬底上生长非极性a面GaN薄膜的方法
180 一种聚酰亚胺塑料衬底柔性硅基薄膜太阳电池集成组件的制造方法
181 一种以聚对苯二甲酸乙二酯塑料为衬底非晶硅薄膜太阳电池的制备方法
182 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法
183 GaN单晶的制造方法、GaN薄膜模板衬底及GaN单晶生长装置
184 一种采用近空间升华技术在衬底沉积形成半导体薄膜的方法和装置
185 Si衬底上生长Zn1-x</sub>Mgx</sub>O晶体薄膜的方法
186 一种提高HfO2</sub>薄膜热稳定性并控制其与硅衬底界面生长的方法
187 具有Al2</sub>O3</sub>缓冲层的硅衬底Mgx</sub>......
188 一种半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法
189 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
190 薄膜太阳能电池衬底以及薄膜太阳能电池的制作方法
191 薄膜陶瓷多层衬底的制造方法
192 一种玻璃衬底绒面结构ZnO薄膜及应用
193 一种柔性衬底绒面结构ZnO薄膜的制备及应用
194 基于c面Al2</sub>O3</sub>衬底上极性c面GaN薄膜的MOCVD生......
195 基于m面SiC衬底的非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法
196 基于r面Al2</sub>O3</sub>衬底上非极性a面GaN薄膜的MOCVD......
197 一种在硅衬底上制备高介电常数金属氧化物薄膜的方法
198 一种在图形衬底上生长氮化物薄膜外延层的方法
199 一种在图形衬底上生长氮化物薄膜外延层的方法
200 玻璃衬底上光控制备硅薄膜太阳能电池的方法及沉积室
201 基于类金刚石薄膜修饰金属纳米结构的表面增强拉曼衬底及其制备方法
202 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法
203 薄膜晶体管衬底和显示装置
204 Si衬底上生长ZnO外延薄膜的方法
205 玻璃衬底双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件的制备方法
206 一种液相外延法制取薄膜的衬底夹具
207 一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法
208 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法
209 柔性衬底生长n型ZnMgO:Ga透明导电薄膜的方法
210 一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
211 一种用于柔性衬底大面积薄膜制备的真空热蒸镀设备
212 在硅衬底上制备无过渡层的金属氧化物薄膜的方法
213 一种热封形成圆形薄膜电容器内衬塑料芯管的工艺
214 一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法
215 用于有选择地在微电子衬底上沉积薄膜的自对准的金属掩模组件以及使用方法
216 一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法
217 在硅衬底上制作台阶生长Mgx</sub>Zn1-x</sub>O薄膜的方法
218 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法
219 一种在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法
220 氧化物薄膜衬底加热装置
221 猪薄膜内衬贮精瓶及自动输精装置
222 一种用于柔性衬底大面积薄膜制备的真空热蒸镀设备
223 用于柔性衬底薄膜太阳电池钝化的支撑装置

温馨提示

1、资料格式:资料全部为PDF格式文件,可复制到电脑自由阅读、打印,也可以用手机阅读,方便快捷,没有任何限制,所有文件均保证正常打开。

2、资料说明:资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人姓名、地址/邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。每一项专利文献的内容详略都是不同的,平均每一项4-10页,多的有几十页的。

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