晶片蚀刻方法 蚀刻硅晶片工艺 晶片单片式蚀刻加工设备技术【小套】
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1. 200410103734 用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法
2. 96109855 用于半导体晶片干燥蚀刻的等离子体加工装置
3. 01222344 用于蚀刻工艺过程的晶片保护装置
4. 01110183 一种晶片边缘的蚀刻机及其蚀刻方法
5. 02809387 蚀刻用的高压无晶片自动清洗
6. 02808152 一种用于蚀刻晶片的电介质层的方法
7. 200380103007 用于在等离子体蚀刻期间屏蔽晶片不受带电粒子影响的设备和方法
8. 200410088058 一种晶片精准蚀刻的方法
9. 200410055871 双面蚀刻晶片的方法
10. 200580008980 具有等离子体源线圈的等离子体室及使用该等离子体室蚀刻晶片的方法
11. 200510118748 晶片湿法蚀刻装置及其湿法蚀刻方法
12. 200580044175 通过在分割期间或之后进行蚀刻来增强晶片强度
13. 200510072951 一种去除晶片表面上蚀刻残留物的方法
14. 200580035507 用于制造具有蚀刻终止层的绝缘体上硅(SOI)晶片的方法
15. 200580032800 从蚀刻晶片脱模光致抗蚀剂的方法
16. 200610172450 耐蚀刻晶片处理装置和其制造方法
17. 200780010287 具有室去氟化和晶片去氟化中间步骤的等离子体蚀刻和光刻胶剥离工艺
18. 200710141654 用于半导体晶片的碱性蚀刻溶液和碱性蚀刻方法
19. 200710136611 具有多重蚀刻结构的太阳能电池晶片及其制造方法
20. 200710037475 一种晶片干蚀刻的装置及控制方法
21. 200710172511 用于减少晶片表面缺陷的湿式蚀刻方法及其装置
22. 200780035751 使用蚀刻停止层形成贯穿晶片电学互连及其它结构
23. 200780024615 利用弯液面的蚀刻后晶片表面清洁
24. 200780017100 通过蚀刻半导体晶片制造的低维热电装置
25. 200780004139 晶片的单片式蚀刻方法
26. 200810170594 一种防止因零件损坏而造成晶片蚀刻异常的方法
27. 200880023226 利用晶片结合和电化学蚀刻停止的小型表压传感器
28. 200810082137 晶片的单片式蚀刻装置
29. 200810090043 晶片的单片式蚀刻方法及其蚀刻设备
30. 200810131951 晶边蚀刻设备及其相关的晶片平坦化方法
31. 200810108607 蚀刻剂及控制晶片的回收方法
32. 200980111773 蚀刻硅晶片边缘的方法
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2、资料说明:资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人姓名、地址/邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。每一项专利文献的内容详略都是不同的,平均每一项4-10页,多的有几十页的。