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磷化铟单晶技术工艺 磷化铟晶片加工技术 磷化铟基板加工方法【小套】

点击数: 更新时间:2021-05-28 22:57
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资料编号:ZL-14187

资料价格:198元

1 磷化铟单晶片的抛光工艺
2 磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管
3 砷化镓/磷化铟异质气相外延技术
4 N型磷化铟欧姆接触制造方法
5 磷化铟表面清洁方法
6 具有低开启电压的磷化铟肖特基装置及其制造方法
7 磷化铟单晶的制造方法
8 磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法
9 一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法
10 一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法
11 磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法
12 磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法
13 磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法
14 一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法
15 磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法
16 用于铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构
17 磷化铟基板、磷化铟单晶及其制造方法
18 磷化铟材料上原位淀积高介电常数三氧化二铝和金属膜的方法
19 磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法
20 多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法
21 用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法
22 在磷化铟InP基片上形成通孔的方法及半导体光电器件
23 磷化铟异质结双极型晶体管自对准发射极的制作方法
24 磷化铟基板的制造方法、外延晶片的制造方法、磷化铟基板及外延晶片
25 一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法
26 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法
27 一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法
28 一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法
29 一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液及腐蚀方法
30 高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法
31 磷化铟基光电子器件中楔形腔和平行腔结构实现方法
32 磷化铟荧光量子点的合成方法 电话 1331^OOl8~778
33 含有掺杂剂的磷化铟晶体及其制造方法
34 一种用于锂离子电池的磷化铟负极材料及其制备方法
35 磷化铟基共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管单片集成制造方法
36 半导体材料磷化铟的快速合成
37 锂离子电池氧化铬-磷化铟纳米复合负极材料及其制备方法
38 计算机硬盘磷化铟基片CMP后表面洁净方法
39 硬盘磷化铟基板CMP抛光液的制备方法
40 一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法
41 磷化铟晶片及其表面清洗方法
42 在磷化铟衬底上制备T型栅的方法
43 在磷化铟衬底上制备T型栅的方法
44 一种用于磷化铟制备的高压炉
45 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
46 太赫兹的磷化铟耿氏管制备方法

温馨提示

1、资料格式:资料全部为PDF格式文件,可复制到电脑自由阅读、打印,也可以用手机阅读,方便快捷,没有任何限制,所有文件均保证正常打开。

2、资料说明:资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人姓名、地址/邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。每一项专利文献的内容详略都是不同的,平均每一项4-10页,多的有几十页的。

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