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1 含硅外延层的形成
2 一种用于N型硅外延片电阻率测量前的表面热处理工艺
3 一种非选择性生长锗硅外延的方法
4 一种用于P型硅外延片电阻率测量前的表面热处理工艺
5 基于重掺UMG硅外延生成pn结的太阳电池及制备方法
6 基于重掺UMG硅外延生成高低结的太阳电池及制备方法
7 用于填充沟槽的硅外延方法
8 在沿方向切割的基片上生长的碳化硅外延层
9 表面处理方法、硅外延片的制造方法以及硅外延片
10 硅外延层的形成方法
11 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置
12 硅外延晶片以及生产硅外延晶片的方法
13 制造硅外延晶片的方法和硅外延晶片
14 5″功率MOS管用硅外延片的制造方法
15 硅外延片的制造方法及硅外延片
16 提高P型硅外延电阻率一致性的控制方法
17 硅外延晶片的制造方法
18 一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积设备
19 一种碳化硅外延生长反应室顶盖的拆卸工具
20 碳化硅外延炉兼容小盘基座
21 一种碳化硅外延生长装置
22 一种碳化硅外延生长反应室
23 减少碳化硅外延中的胡萝卜缺陷
24 生长非常均匀的碳化硅外延层
25 溴强腐蚀混合源抑制自掺杂硅外延
26 减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构
27 生长非常均匀的碳化硅外延层
28 硅外延晶片及其制造方法
29 以Ge－B共掺直拉硅片作为衬底的P/P+硅外延片
30 一种重掺砷衬底的硅外延方法
31 6″VDMOS管用硅外延片的制造方法
32 高掺杂浓度的碳化硅外延生长的方法
33 在硅外延薄膜形成时使用氯气和/或氯化氢
34 形成硅外延测试片的方法
35 硅外延片及其制造方法
36 使用含碳硅和锗化硅外延源/漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法
37 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
38 一种IGBT硅外延片的制造方法
39 硅外延片，客服QQ:1134 26~83`95
40 变容二极管用硅外延材料制备方法
41 监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法
42 硅外延生长室预处理的方法
43 一种制作基本上没有台阶形貌的碳化硅外延层的方法
44 监控锗硅外延反应腔设备参数变化的方法
45 用于硅外延层生长的有源气体流量控制装置
46 一种检测锗硅外延缺陷的方法
47 硅外延膜厚测量方法及装置
48 在硅外延薄膜形成时使用氯气和/或氯化氢
49 双层硅外延片结构肖特基二极管芯片
50 硅外延金刚石介质高增益片上偶极天线对传播结构
51 低压TVS用硅外延片的制造方法
52 毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法
53 硅外延膜厚测试标准片的制作方法
54 具有锗硅外延层的PMOS晶体管的制备方法
55 利用选择性碳化硅外延来提升SONOS擦写速度的方法
56 降低锗硅外延表面缺陷的方法
57 一种高锗浓度的锗硅外延方法
58 硅外延片背面硅渣的处理方法
59 一种硅外延层过渡区的无损检测方法
60 一种改善硅外延片翘曲度的方法
61 一种高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法
62 一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制备方法
63 化学气相淀积硅外延生长方法
64 碳化硅外延晶片及其制造方法、外延生长用碳化硅块状衬底及其制造方法以及热处理装置
65 一种锗硅外延层生长方法
66 深沟槽的硅外延填充方法
67 硅外延生长的工艺方法
68 一种深沟槽的硅外延填充方法
69 一种具有高金属吸杂能力的n/n+硅外延片及其制备方法
70 电容式三轴微陀螺仪的硅外延制造方法
71 一种台阶结构的碳化硅外延发光二极管
72 一种高亮度碳化硅外延发光二极管
73 P++衬底上P-层硅外延片的制备方法
74 单晶碳化硅外延生长用供料件和单晶碳化硅的外延生长方法
75 一种CCD器件用硅外延片制备工艺
76 一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法
77 一种碳化硅外延生长装置
78 全面式硅外延工艺光刻对准标记的结构及制作方法
79 一种用于生产碳化硅外延片的化学气相沉积设备
80 一种提高碳化硅外延片片内n型掺杂浓度均匀性的方法
81 一种减少碳化硅外延薄膜中缺陷的方法
82 制备嵌入式锗硅外延的表面处理方法
83 一种减压生产12寸单晶硅外延片的工艺
84 PIN开关管用硅外延片
85 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
86 硅外延平面三极管
87 一种降低热噪声的硅外延平面晶体管结构
88 双层硅外延片结构肖特基二极管芯片
89 背封单晶硅外延层结构
90 一种用于平板硅外延炉的冷却水分配板
91 一种硅外延设备的进气口装置
92 一种碳化硅外延生长反应室的顶盖