资料价格：198元

1 半导体器件中金属硅化物的单向扩散
2 横向双扩散金属氧化物半导体LDMOS元件及其加工方法
3 嵌入高电压横向扩散金属氧化物半导体的快闪存储器制程
4 绝缘横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）集成电路技术
5 一种半导体扩散区结构及其制造方法
6 具有选择性扩散区的半导体器件
7 半导体器件少子扩散长度和少子寿命的无损测量方法
8 具有到上表面上漏极触点的低电阻通路的沟槽式双扩散金属氧化物半导体晶体管结构
9 具有降低接通电阻的超级自对准的沟－栅双扩散金属氧化物半导体器件
10 具有减轻的击穿现象的沟道型双扩散金属氧化物半导体晶体管
11 性能改善的双扩散金属氧化物半导体的晶体管结构
12 高速凹槽双扩散金属氧化物半导体
13 具有双栅极结构的沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管
14 双重扩散型MOSFET及其半导体装置
15 具有双扩散体分布的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
16 在杂质扩散区之间具有减小的寄生电容的半导体器件
17 双扩散型金氧半导体晶体管的制造方法
18 测量半导体过剩载流子迁移率和扩散长度的装置及方法
19 具有改良的漏极触点的沟槽双扩散金属氧化半导体器件
20 具长期热载子补偿之自动侧向扩散金氧半导体偏压
21 三维多栅高压P型横向双扩散金属氧化物半导体管
22 三维多栅高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管
23 在半导体基底表面上具有低表面梯度的扩散埋层形成方法
24 侧面扩散金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法
25 沟渠式双扩散金属氧化半导体装置及其制造制程及方法
26 一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
27 横向双扩散金氧半导体元件及其制造方法
28 减慢半导体衬底中掺杂剂扩散的方法及由此制作的器件
29 抗辐照、可集成的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
30 具有均化电容的高压和低导通电阻横向扩散金属氧化物半导体晶体管
31 多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
32 多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
33 半导体结构及其形成方法、横向扩散P型金氧半晶体管
34 横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
35 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
36 在半导体器件中制作阻挡扩散金属层的方法
37 扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件
38 高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管
39 一种射频功率LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管
40 一种开管扩散制备大功率半导体器件的方法及其装置
41 侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构及其制作方法
42 减少埋层接触带外扩散的半导体结构、其制造方法以及半导体存储器装置的形成方法
43 含磷二氧化硅乳胶源扩散制备大功率半导体器件的方法
44 使用通过加热的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法、使用该方法制造的化合物半导体和化合物绝缘体、以及使用该化合物半导体和化合物绝缘体的光电池、电子电路、晶体管和储存器
45 超级自对准的沟－栅双扩散金属氧化物半导体器件
46 制造具有扩散阻挡层的半导体装置的方法
47 掺杂有较衬底原子扩散速度更慢原子的隔离层的半导体器件
48 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
49 异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管
50 双边扩散型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
51 半导体硅片液态源扩散炉
52 半导体制造装置中的地震损害扩散降低方法及系统
53 防止铜扩散的方法及半导体器件的制造方法
54 超级自对准的沟－栅双扩散金属氧化物半导体器件
55 提高横向扩散金属氧化物半导体耐击穿性的退火处理方法
56 横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法
57 低开启电阻的横向扩散金氧半导体元件及其制造方法
58 最小化N型掺杂物扩散的经沉积半导体结构和制造方法
59 平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法
60 一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件的制造方法
61 硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法
62 横向双扩散金属氧化物半导体器件
63 横向扩散金属氧化物半导体结构
64 包括扩散阻挡膜的半导体器件的形成方法
65 半导体制造装置中的地震受害扩散减轻方法和系统
66 平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法
67 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
68 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
69 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
70 在具有受控界面特性和扩散尾的第Ⅳ族衬底上制造半导体器件的方法
71 减少热载流子效应的P型横向双扩散金属氧化物半导体管
72 超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
73 减少热载流子效应的N型横向双扩散金属氧化物半导体管
74 硼扩散源的使用方法及半导体的制造方法
75 N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
76 双扩散金属氧化物半导体晶体管，客服QQ:113 426~83 95
77 集成互补低电压射频横向双扩散金属氧化物半导体
78 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
79 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
80 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
81 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
82 横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
83 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
84 超自对准沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管结构及其制造方法
85 掺杂有较衬底原子扩散速度更慢原子的隔离层的半导体器件
86 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
87 扩散接合的半导体生产中有用的流体流设备
88 绝缘体上硅的横向P型双扩散金属氧化物半导体管
89 横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构
90 半导体硅片磷扩散后涂胶前表面处理工艺
91 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管
92 避免双峰效应的横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构
93 一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法
94 横向扩散金属氧化物半导体元件
95 绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体管及制备方法
96 高压横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构的制作方法
97 具静电放电保护的水平扩散金属氧化物半导体晶体管元件
98 N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管
99 绝缘衬底上的硅基横向双扩散金属氧化物半导体器件
100 P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管
101 p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件
102 具有双栅极结构的沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管
103 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法
104 双扩散金属氧化物半导体场效应管结构及其制造方法
105 横向双扩散金属氧化物半导体
106 纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法
107 离子扩散及半导体器件形成的方法
108 垂直超结双扩散金属氧化物半导体器件及制造方法
109 半导体集成电路、信息处理装置和输出数据扩散方法
110 自对准沟道型横向扩散金属氧化物半导体管的制作方法
111 横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构
112 横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
113 降压用耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体管
114 快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
115 具有减少扩散热阻的半导体堆叠组合件及其制造方法
116 具有厚底部屏蔽氧化物的沟槽双扩散金属氧化物半导体器件的制备
117 沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法
118 横向扩散金属氧化物半导体元件的制作方法
119 横向扩散金属氧化物半导体元件结构
120 离子扩散及半导体器件形成的方法
121 横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
122 N型超结横向双扩散金属氧化物半导体管
123 P型超结横向双扩散金属氧化物半导体管
124 具有能够防止热扩散的电熔丝的半导体集成电路
125 横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
126 自对准电荷平衡的功率双扩散金属氧化物半导体制备方法
127 增加击穿防护电压的横向扩散金属氧化物半导体元件与制作方法
128 横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
129 用于制备半导体器件的深结扩散方法
130 设有锡扩散抑制层的半导体装置及其制造方法
131 一种超结结构的纵向双扩散金属氧化物半导体功率器件
132 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
133 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法
134 横向扩散型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
135 横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
136 射频侧向扩散金属氧化物半导体器件及制备方法
137 具有导电扩散区的半导体芯片、其制造方法以及堆叠封装
138 一种超结纵向双扩散N型金属氧化物半导体管
139 横向扩散金属氧化物半导体组件
140 超结横向扩散金属氧化物半导体及其制造方法
141 p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件
142 使用酸扩散制造半导体器件的方法
143 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
144 p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件
145 激光脉冲沉积法制备Cu扩散掺杂ZnO基半导体的方法
146 一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法
147 可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法
148 沟渠双扩散金属氧化半导体制作方法及装置
149 超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
150 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管结构
151 具有氧扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法
152 双扩散金属氧化物半导体器件
153 低导通电阻的横向扩散MOS半导体器件
154 双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法
155 一种快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
156 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
157 一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
158 带有焊料扩散保护的半导体芯片器件
159 横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
160 带有热扩散器的半导体结构及其制造方法
161 一种半导体一次闭管扩散方法
162 具有厚底部屏蔽氧化物的沟槽双扩散金属氧化物半导体器件的制备
163 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
164 功率横向双扩散金氧半导体元件及高压元件
165 用于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的直通硅通孔处理技术
166 减少表面电场的结构及横向扩散金氧半导体元件
167 测算半导体器件井区注入离子横向扩散能力的方法
168 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法
169 电流扩散电极、半导体发光器件及其制备方法
170 一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管
171 一种半导体发光器件及电流扩散层的制备方法
172 一种横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法
173 一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制作方法
174 一种P型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
175 一种N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
176 在覆有扩散阻障层的基板上之半导体组件及其制作方法
177 用于半导体扩散炉的石英钩
178 在烧结银层上包括扩散焊接层的半导体器件
179 超级结双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法
180 横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
181 横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
182 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
183 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
184 横向扩散金属氧化半导体元件
185 垂直扩散金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法
186 横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
187 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
188 半导体晶圆掺杂扩散技术
189 横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法
190 顶部漏极横向扩散金属氧化物半导体
191 带有积累增益植入物的横向双扩散金属氧化物半导体
192 一种超薄横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法
193 一种对红光半导体激光器进行Zn扩散的方法
194 垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
195 横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
196 垂直扩散金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法
197 横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法
198 一种高雪崩耐量能力的纵向双扩散金属氧化物半导体结构
199 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的测试方法
200 双扩散漏极金属氧化物半导体元件及其制造方法
201 一种具有超结埋层的横向扩散金属氧化物半导体器件
202 一种双扩散金属氧化物半导体及其制作方法
203 用于半导体制造过程中的扩散室及其扩散方法
204 双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法
205 半导体扩散设备中石英反应管的装卸装置及其装卸方法
206 半导体扩散设备的石英舟升降装置
207 半导体扩散机台
208 横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
209 电流扩散效果优秀的氮化物半导体发光器件及其制备方法
210 通过横向扩散液相外延的半导体形成
211 双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法
212 用于半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺的挡片舟组件
213 一种高侧横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法
214 一种横向扩散半导体器件
215 一种高频水平双扩散结构半导体器件的制造方法
216 安装有完整扩散阻挡层的半导体激光器
217 一种射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构
218 一种硅基片及横向扩散金属氧化物半导体
219 横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
220 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
221 一种栅控垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管
222 一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
223 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
224 具有带有下面的扩散阻挡层的锗有源层的半导体器件
225 一种上拉双扩散金属氧化物半导体及其制作方法
226 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管
227 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
228 超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法