PN结系统原理图 PN结技术工艺 形成P-N结的方法【小套】
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1 太阳能电池制造中同时形成硅片绒面及PN结的方法
2 pn结型化合物半导体发光二极管
3 光敏PN结侧向注入电器件的间接耦合方法
4 深区PN结二极管
5 高互换性双PN结温度传感器
6 一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结
7 一种制造高灵敏PN结温度传感器的方法及高灵敏PN结温度传感器
8 利用二步退火制造PN结的技术
9 PN结温度传感器工作方式的改进和线性化新方法
10 具有倾斜PN结的双极型SOI器件及制造这种器件的方法
11 PN结衬底隔离片上电感的优化设计方法
12 半导体PN结二极管器件的温升测量方法及装置
13 具有PN结的纳米须及其制造方法
14 一种基于硅纳米线的异质pn结二极管及其制备方法
15 一种硅纳米线同质pn结二极管及其制备方法
16 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法
17 一种半导体器件芯片穿通隔离区及PN结的制造工艺
18 一种n-硅纳米线/p-导电有机物异质pn结二极管及其制备方法
19 新型硅PN结光电二极管
20 一种晶体硅太阳电池热扩散制备PN结的方法
21 制造包括纳米结构的PN结的发光二极管的方法及这样获得的二极管
22 铌酸锂pn结及其制备方法
23 改善动态随机存储器PN结漏电流的方法
24 pn结MgxZn1-xO薄膜日盲区紫外探测器件
25 激光加工在P型碲镉汞材料上形成PN结的方法及装置
26 一种n-ZnO纳米线/p-NiO异质pn结二极管及其制备方法
27 一种测量碲镉汞材料pn结结深的方法
28 一种P、N纸源同一扩散过程制造硅二极管PN结的方法
29 一种硅单晶片制造开放PN结快恢复整流二极管的方法
30 晶体硅太阳电池PN结的制备方法
31 晶体硅太阳能电池钝化与发射极(PN结)生产工艺
32 基于多晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法
33 基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法
34 PN结变容管及其品质因数的提取方法
35 一种n-氧化锌/p-氧化镍异质pn结紫外激光二极管及其制备方法
36 一种异质pn结型日盲紫外探测器
37 微加热器阵列、具有其的PN结器件及制造方法
38 PN结及MOS电容器混合减低表面场晶体管
39 一种适于电源极性反转的PN结隔离方法
40 单晶硅太阳电池绒面上pn结杂质浓度分布的测量方法
41 平面式排布的PN结阵列器件
42 具有垂直表面造型的平面PN结芯片及其制造方法
43 单台面串联平面PN结芯片及其制造方法
44 硅太阳能电池梯度杂质PN结制造方法
45 PN结和肖特基结混合式二极管及其制备方法
46 基于重掺UMG硅外延生成pn结的太阳电池及制备方法
47 利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法
48 一种制备双面PN结太阳能电池的方法
49 利用传统工艺制备双面PN结晶硅太阳能电池的方法
50 一种双PN结线形温度传感器
51 一种用于太阳电池的薄膜硅/晶体硅异质pn结结构
52 一种光调制器PN结的制作方法
53 一种氧化锌掺杂同质PN结及其制备方法
54 深沟槽超级PN结结构及其形成方法
55 深沟槽超级PN结结构及其形成方法
56 PN结二极管、相变随机存储器及其制作方法
57 双面PN结硅太阳能电池
58 一种连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法
59 一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池及其制造方法
60 求解具类PN结特性的静态工作点的方法与装置
61 Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法
62 P型聚丙烯酰胺N型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管
63 N型聚丙烯酰胺P型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管
64 一种在PN结硅芯片上形成减反射膜的方法
65 一种PN结嵌入玻璃钝化器件的结构设计
66 降低浅掺杂漏PN结漏电流的MOS晶体管的制作方法
67 同时形成晶体硅太阳能电池PN结和氮化硅减反射膜的方法
68 制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法
69 一种包含PN结的半导体电子器件
70 PN结及其制造方法
71 利用pn结测量LED热阻的方法及其装置
72 功率MOS中ESD PN结的轮廓显现溶液及方法
73 一种晶体硅太阳能电池PN结的形成方法
74 PN结隔离结构及其形成方法
75 一种基于石墨烯PN结的光伏电池及其制备方法
76 晶体管PN结的形成方法
77 基于PN结群组的广域光电智能传感器及显示屏调光系统与方法
78 一种双极型晶体管器件掺杂结构的PN结染色方法
79 柔性可控有机pn结场发射电子源
80 BiCMOS工艺中的PN结变容器及制造方法
81 一种N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法
82 A型PN结五极管式热电转换和制冷装置
83 一种可提高PN结反向击穿电压的装置
84 一种利用协助磷源气扩散的固态磷源制备PN结的方法
85 BiCMOS工艺中的PN结变容器及制造方法
86 纵向PN结电压控制变容器及其制备方法
87 PN结电压控制变容器及其制备方法
88 一种ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法
89 p型导电Sb掺杂SnO2薄膜和含有该薄膜的氧化锡同质pn结及其制备方法
90 利用集成pn结测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法
91 一种硅基异质PN结构几何巨磁阻器件及其制备方法
92 一种PN结的扩散方法
93 一种太阳能电池的PN结制作方法
94 一种单晶半成品印刷前异常硅片去除PN结的处理方法
95 一种PN结结深测算方法
96 双面高效陷光纳米绒面的双PN结晶硅太阳能电池制造方法
97 用于显现半导体芯片PN结的溶液及显现方法
98 一种ZnO同质pn结及其制备方法
99 硅台面半导体器件的PN结保护方法
100 PN结四极管式热电转换和制冷制热装置
101 PN结半导体发光元件照明装置及其调光方法
102 PN结发光元件照明装置
103 PN结发光元件照明装置
104 一种深沟槽超级PN结的形成方法
105 一种深沟槽超级PN结的形成方法
106 一种pn结阵列受光结构的太阳电池
107 具有PN结和肖特基结的多路太阳能电池及其制造方法
108 一种功率器件单元区和保护环区PN结的结深测量方法
109 一种晶体硅太阳电池制备PN结的方法
110 一种制造PN结的方法及其PN结
111 一种单晶石墨烯pn结及其制备方法
112 一种光伏组件、一种PN结元件及其制作方法
113 具有超低结电容密度的pn结及其制造方法
114 一种基于多节纳米线径向pn结的太阳能电池及制备方法
115 一种ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4 pn 结纳米棒阵列的制备方法
116 ZnO同轴同质pn结纳米棒及其制备方法
117 一种PN结器件铝穿通的判定方法
118 掺杂方法、PN结构、太阳能电池及其制作方法
119 PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器
120 一种制备横向石墨烯PN结的方法
121 PN结构的掺杂方法,客服QQ:1134`26839~5
122 一种单壁碳纳米管PN结同位素电池及其制备方法
123 由PN结与金属条构成衬底屏蔽层的集成电路片上电感
124 通过PN结温度传感器对电力变压器温度的监测方法
125 CZTS太阳电池的PN结及CZTS太阳电池器件的制备方法
126 一种具有无源金属PN结半导体装置及其制备方法
127 一种P型准单晶硅太能阳电池PN结的制造方法
128 一种低表面杂质浓度的太阳能电池PN结的制备方法
129 一种太阳能电池中PN结制作方法
130 瞬变电压抑制二极管PN结的实现方法
131 具有U形管状沟道的无PN结晶体管及其制造方法
132 一种基于激光氧化法的P型硅太阳能电池PN结结深测量方法
133 PN结和SE掺杂一次完成的扩散方法
134 一种发光二极管的PN结及其制造方法
135 一种用电容串联的PN结
136 一种制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法
137 制作掩埋PN结势垒肖特基二极管的方法
138 一种掩埋PN结势垒肖特基二极管
139 一种基于SOI工艺的漏源区介质/PN结隔离前栅P/N-MOSFET射频开关超低损耗器件
140 基于SOI工艺的漏/源区介质(PN结)隔离前栅P-MOSFET射频开关超低损耗器件
141 基于SOI工艺的漏/源区介质(PN结)隔离前栅N-MOSFET射频开关超低损耗器件
142 掺杂方法、PN结构、太阳能电池的制作方法及太阳能电池
143 一种具有PN结的MEMS电容开关
144 一种Si/NiO:Na异质pn结二极管
145 一种优化晶体硅太阳能电池PN结的方法
146 一种Si/NiO:Ag异质pn结二极管
147 一种Si/NiO:Cu异质pn结二极管
148 一种NiO:Cu/ZnO异质pn结二极管
149 一种基于二维半导体晶体的栅控PN结
150 一种具有自旋整流特性的ZnO基磁性pn结及其制备方法
151 PN结构栅解调像素
152 一种新的太阳电池的PN结
153 一种用于加深硅片PN结深度的扩散方法及硅片
154 多孔硅PN结型核电池及其制备方法
155 一种NiO:Ag/ZnO异质pn结二极管
156 一种晶体硅太阳能电池PN结的制备方法
157 PN结传感数字温度计
158 电压型PN结温度传感器
159 灵敏度一致化的PN结温度传感器
160 PN结热电偶温度补偿器
161 用于测控温的PN结传感器
162 高灵敏PN结温度传感器
163 PN结测温仪
164 多点 PN 结测温电缆和多点温度集散测控系统
165 半导体PN结二极管器件的温升和热阻测量装置
166 一种测量PN结电流的测试装置
167 灵敏度一致化的PN结温度传感器
168 一种用于制备PN结的高温炉门自动密闭结构装置
169 双面PN结硅太阳能电池
170 测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置
171 一种测量PN结特性曲线及波尔兹曼常数的实验仪
172 具有图形显示的PN结实验装置
173 一种氧化锌掺杂同质PN结
174 PN结机翼蒙皮
175 基于PN结群组的广域光电智能传感器及显示屏调光系统
176 N型聚丙烯酰胺P型硅异质三态输出PN结及采用该PN结的二极管
177 P型聚丙烯酰胺N型硅异质三态输出PN结及采用该PN结的二极管
178 一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池
179 用于制作晶硅片PN结的红外加热石英炉结构
180 一种用于制作晶体硅太阳能电池PN结的石英炉管
181 一种可提高PN结反向击穿电压的装置
182 一种具有PN结保护的硅台面半导体器件
183 一种PN结阵列受光的太阳电池
184 一种掩埋PN结势垒肖特基二极管
185 电场型半导体PN结电流转换结构
186 台面保护门极-阴极PN结的可控硅芯片结构
187 一种设有环状PN结的太阳能电池片
188 由PN结与金属条构成衬底屏蔽层的集成电路片上电感
189 具有U形管状沟道的无PN结晶体管
190 一种PN结反向漏电流检测电路,客服QQ:113`42683~95
191 基于SOI工艺的漏/源区介质(PN结)隔离前栅N-MOSFET射频开关超低损耗器件
192 基于SOI工艺的漏/源区介质(PN结)隔离前栅P-MOSFET射频开关超低损耗器件
193 一种基于SOI工艺的漏源区介质/PN结隔离前栅P/N-MOSFET射频开关超低损耗器件
194 一种具有正面Al-PN结的N型晶体硅太阳电池
195 一种基于分离栅电极的栅控PN结
196 P-N结串联温度传感器
197 高光电转换效率的P-N结硅光电二极管
198 铟镓氮p-n结型多结太阳电池的结构的设置方法
199 一种p-NiO/n-MgxZn1-xO禁带宽度梯度化p-n结二极管及其制备方法
200 离子注入制备高性能碲镉汞p-n结的方法
201 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结及其制备方法
202 金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法
203 金属氧化物半导体P-N结萧基二极管结构及其制作方法
204 P-N结特性BDD-TiO2电极的制备方法
205 大面积纳米线P-N结阵列及其制备方法
206 一种p-n结空心球的制备及在光催化分解水制氢中的应用
207 沟道式MOS P-N 结肖特基二极管结构及其制作方法
208 单P-N结串联光伏器件
209 离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法
210 一种制备ZnO纳米颗粒膜/纳米棒p-n结阵列的方法
211 CMOS工艺兼容栅控p-n结正向注入型硅发光器件及其制作方法
212 在拼图式钻石基板形成P-N结
213 立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法
214 蘸片法制作Ge/Si太阳能电池p-n结的方法
215 一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺
216 一种P-N结4π出光的高压LED及LED灯泡
217 金属氧化物半导体P-N 结面二极管结构及其制作方法
218 一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法
219 热蒸发制备掺杂锑化物薄膜P-N结的方法
220 低栅容金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法
221 金属氧化物半导体P-N结二极管结构
222 一种ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法
223 新一代硅基太阳能电池p-n结的制作工艺
224 离子注入法制作大面积硅基太阳能电池p-n结的工艺
225 一种P-N结柔性太阳电池的制备方法
226 通过三氧化锰表面掺杂制备p-CdS纳米线及p-CdS/n-Si纳米p-n结的方法
227 一种制备薄膜太阳能电池p-n结的方法
228 一种在N型硅衬底上快速形成P-N结的方法
229 一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
230 BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器及制法
231 硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法
232 单晶硅电池片中分离P-N结及太阳能电池制作方法
233 基于有机p-n结的红外探测器件及其制作方法与使用该器件的红外图像探测器
234 一种在硅纳米线上制备径向p-n结太阳电池的方法
235 在太阳能电池基板中形成P-N结的方法
236 基于有机p-n结的紫外探测器件及使用该器件的紫外图像探测器
237 一种p-n结型ZnO-CoTiO3室温气敏薄膜的制备方法
238 p型SnO薄膜及其p-n结二极管的制备方法
239 一种大面积有序有机p-n结纳米线阵列的制备方法
240 一种金刚石膜表面选区扩散形成P-N结的制备方法
241 一种MoS2/Si p-n结太阳能电池器件及其制备方法
242 一种P-N结4π出光的高压LED构成的LED灯泡
243 太阳能光伏P-N结构墙面砖
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2、资料说明:资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人姓名、地址/邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。每一项专利文献的内容详略都是不同的,平均每一项4-10页,多的有几十页的。