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1 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
2 刻蚀半导体结构中的钨或氮化钨栅极的方法
3 用干法刻蚀在半导体衬底上形成金属布线的方法
4 刻蚀方法及其装置和用该刻蚀方法生产半导体元件的工艺
5 半导体器件铂膜的刻蚀方法
6 刻蚀方法、结晶生长方法和半导体器件的制造方法
7 半导体器件中层的刻蚀方法
8 对II－VI半导体有选择的刻蚀
9 200610114204.3 200610119148.2 200610164885.4 200610169564.3 200610169566.2 200710063224.7 200710063232.1 200810018637.8 200410004357.3 200410057093.8 200510072659.9 200510099582.4 200510126376.8 200510126375.3 200510126285.4 200510126390.8 200510126307.7 200510126445.5 200510126301.X 200510027553.7 200610132147.1 200510110706.4 200980130163.9 201010131920.9 201010136701.X 201110210146.5 201110210148.4 201110342073.5 201110342080.5 201210079731.0 201210135944.0 03136012.2 200310110916.4 200610028782.5 200610030170.X 200810128905.1 200710094544.9 200910076958.8 200910066764.X 200810105311.9 200810114317.2 200810114316.8
52 一种半导体等离子刻蚀工艺
53 半导体制程中无机膜层刻蚀方法及浅沟槽隔离区形成方法
54 半导体结构的刻蚀方法和金属互连层的形成方法
55 应用于半导体刻蚀清洗设备的全塑料高速机械手
56 多晶硅叠层、双栅以及半导体材料叠层刻蚀方法
57 半导体制造设备和半导体结构的刻蚀方法
58 具有接触刻蚀停止层的半导体器件及其形成方法
59 多晶硅栅极的刻蚀方法以及半导体器件的制作方法
60 半导体器件的刻蚀方法
61 P型半导体异质结构的光电化学刻蚀
62 半导体器件刻蚀方法以及半导体器件
63 半导体器件制备过程中导电层的刻蚀方法
64 沟槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法
65 一种用于提高半导体器件性能的硅化物掩模刻蚀方法
66 室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法
67 刻蚀控制方法以及半导体制造工艺控制方法
68 等离子体加工设备的部件和在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法
69 凹槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法
70 削弱侧壁再沉积的方法、刻蚀方法及半导体器件制造方法
71 半导体刻蚀设备的上部电极 欢迎资料