资料编号：ZL-20703

资料价格：198元

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22 原子层沉积设备
23 新型原子层沉积设备
24 原子层沉积室及其部件
25 一种原子层沉积设备
26 原子层沉积方法和原子层沉积设备
27 原子层沉积装置及原子层沉积方法
28 原子层沉积装置和原子层沉积方法
29 用于原子层沉积的设备
30 CMOS栅的原子层沉积
31 原子层沉积系统和方法
32 原子层沉积的技术
33 一种原子层沉积设备
34 原子层沉积方法和装置
35 一种原子层沉积设备
36 一种原子层沉积设备
37 原子层掺杂装置和方法
38 原子层沉积反应设备
39 一种原子层沉积设备
40 原子层沉积光刻技术
41 瞬时增强原子层沉积
42 用于原子层沉积的设备
43 用于原子层沉积的设备
44 用于原子层沉积的装置
45 用于原子层沉积的设备
46 原子层沉积反应器
47 钨材料的原子层沉积
48 瞬时增强原子层沉积
49 原子层沉积的电介质层
50 一种原子层沉积装置
51 一种原子层沉积设备
52 用于原子层沉积的设备
53 原子层沉积装置和方法
54 原子层沉积方法和设备
55 一种原子层沉积装置
56 一种原子层沉积设备
57 批量式原子层沉积设备
58 用于原子层沉积反应的尾气吸收装置
59 用于原子层薄膜沉积的反应装置
60 一种原子层薄膜沉积进气装置
61 一种复合材料原子层淀积反应器
62 用于实现原子层沉积工艺的设备
63 一种在线原子层沉积装置
64 卷对卷式原子层沉积设备
65 等离子体增强原子层沉积设备
66 晶舟辅助装置及原子层沉积系统，客服QQ:1134·2683~95
67 气体喷注装置、原子层沉积装置以及使用该原子层沉积装置的原子层沉积方法
68 3薄膜的原子层沉积方法">BiFeO3薄膜的原子层沉积方法
69 制备多孔材料内壁薄膜的原子层沉积设备
70 集成有原子层沉积工艺的化学气相沉积设备
71 双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备
72 高k金属氧化物的原子层沉积
73 具有多重注射道的原子层沉积腔室
74 对于可编程器件使用原子层沉积
75 用于原子层沉积的涡流室盖
76 用于原子层沉积的涡流室盖
77 一种真空多腔原子层沉积设备
78 一种立式原子层沉积设备
79 低温原子层沉积二氧化硅
80 多入口原子层沉积反应器
81 氧化硅薄膜的高温原子层沉积
82 多反应腔原子层沉积装置和方法
83 等离子体增强原子层沉积系统和方法
84 等离子体增强原子层沉积系统和方法
85 原子层沉积的装置和方法
86 一种氧化物介质的原子层沉积方法
87 一种应用于原子层沉积设备的源瓶
88 用原子层沉积制备复合材料
89 利用原子层沉积制备薄膜的方法
90 使用原子层沉积盒的粉末颗粒涂布
91 原子层沉积工艺的处理室
92 用于原子层沉积的装置和方法
93 用脉冲等离子体进行的原子层蚀刻
94 一种安全性高的原子层沉积设备
95 一种原子层沉积设备及其使用方法
96 原子层级的等离子体刻蚀方法
97 一种原子层热电堆材料及其应用
98 原子层淀积的含粘附层钽
99 高介电常数金属硅酸盐的原子层沉积
100 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法
101 与原子层沉积反应器相连接的装置
102 利用原子层沉积制备薄膜的方法
103 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法
104 用于原子层沉积的装置及方法
105 剃刀上的原子层沉积涂层
106 使用快速热处理的原子层沉积
107 金属有机化学气相沉积和原子层沉积
108 一种用于原子层沉积设备的进气方法
109 通过原子层沉积来涂覆衬底卷式基材
110 选择性原子层沉积成膜方法
111 由原子层沉积制造薄膜晶体管的方法
112 一种用于原子层沉积设备的进气方法
113 一种原子层沉积设备及方法
114 利用原子层沉积法形成薄膜的方法
115 利用含硝酸盐的前体淀积原子层
116 原子层淀积设备和装载方法
117 用于电容器集成的TaAlC的原子层沉积(ALD)
118 通过原子层沉积形成含钌的膜的方法
119 用于金属栅极电极的原子层沉积方法
120 用于原子层沉积的涡流室盖
121 高温原子层沉积进气歧管
122 用于原子层沉积的设备与工艺
123 用于原子层沉积的装置和方法
124 热线式原子层沉积设备及其使用方法
125 由液相形成原子层薄膜的方法
126 用于原子层沉积的设备与工艺
127 原子层沉积工艺的前驱物的清除方法
128 用于原子层沉积的设备与工艺
129 用于原子层沉积的方法和设备
130 用于原子层淀积的气体输送装置
131 使用脒基金属的原子层沉积
132 改善原子层沉积工艺的方法及装置
133 杂原子层状分子筛的制备方法
134 用于实现原子层沉积工艺的设备
135 一种在线原子层沉积装置和沉积方法
136 具有等离子体源的原子层沉积
137 单原子层氮化硼在表面涂层中的应用
138 一种气体分配器及原子层沉积设备
139 钽的离子诱导原子层沉积
140 用于原子层沉积的设备与工艺
141 一种工业原子层沉积腔室结构
142 一种常压多腔原子层沉积设备
143 原子层沉积用高浓度水脉冲
144 原子层沉积室的阀控制系统
145 一种原子层沉积设备和应用
146 离子辅助原子层沉积的方法与装置
147 用于原子层沉积的涡流室盖
148 一种原子层沉积前驱体输出装置
149 增加原子层沉积速率的方法
150 使用脒基金属的原子层沉积
151 使用脒基金属的原子层沉积
152 利用原子层淀积形成薄膜的方法
153 通过原子层沉积来涂覆衬底卷式基材
154 用于原子层沉积的装置及方法
155 形成含二氧化硅的层的原子层沉积方法
156 用于在衬底上沉积原子层的方法和装置
157 使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法
158 氮化钽及双层的等离子体增强原子层淀积
159 多片远程等离子体增强原子层沉积腔室
160 非晶铟镓锌氧化物薄膜的原子层淀积制备方法
161 形成具有铂原子的原子层的催化剂的方法
162 用于在表面上进行原子层沉积的装置和方法
163 使用从惰性气体形成的亚稳态体的原子层蚀刻
164 用于增加原子层沉积前驱体数量的方法
165 原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法
166 原子层沉积制备Te-N共掺的氧化锌薄膜的方法
167 原子层沉积制备共掺的氧化锌薄膜的方法
168 使用溶液基前体的原子层沉积方法和设备
169 用于以水平激光进行原子层沉积的设备及工艺
170 用于氧化硅原子层沉积的嵌入式催化剂
171 一种低压热壁密集装片原子层淀积设备和工艺
172 一种可快速处理数据的原子层沉积设备
173 一种可实时数据处理的原子层沉积设备
174 一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备
175 基于高精度PID控制温度的原子层沉积设备
176 一种防回流的原子层沉积设备及其使用方法
177 提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法
178 一种多元物质原子层沉积膜制备方法及装置
179 用于在基板上沉积原子层的方法及装置
180 以钽前驱物TAIMATA进行含钽材料的原子层沉积
181 钼(IV)酰胺前驱物和其在原子层沉积中的用途
182 原子层沉积设备、密封方法和用于沉积的喷嘴组
183 利用原子层淀积工艺形成导电层的方法
184 一种在衬底上选择性原子层淀积薄膜的方法
185 一种源气隔离的固态源原子层沉积装置和方法
186 等离子体辅助原子层沉积装置及其控制方法
187 为原子层沉积（ALD）工艺供应前体的系统和方法
188 石墨烯表面原子层沉积高K栅介质的方法
189 利用原子层沉积法形成氮化硅间隙壁的方法
190 用于巨大磁致电阻传感器的原子层状材料
191 一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法
192 卷对卷式原子层沉积设备及其使用方法
193 原子层沉积的共掺氧化锌薄膜的制备方法
194 原子层沉积制备N-As共掺的氧化锌薄膜的方法
195 一种用于原子层薄膜沉积的反应装置及方法
196 一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置
197 用于高生产量原子层沉积的设备和方法
198 用于高生产量原子层沉积的设备和方法
199 原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法
200 SiC衬底同质外延碳硅双原子层薄膜的方法
201 原子层沉积方法以及形成的半导体器件
202 原子层沉积方法以及形成的半导体器件
203 原子层沉积方法以及形成的半导体器件
204 原子层沉积系统以及用于涂覆柔性衬底的方法
205 一种三氧化二铝薄膜的原子层沉积制备方法
206 一种包覆超细粉体的原子层沉积方法与装置
207 通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜
208 使用原子层沉积工艺制造金属硅酸盐层的方法
209 TFT快闪存储单元的原子层沉积外延硅生长
210 批次处理原子层沉积反应器的处理制程
211 使用溶液基前体的原子层沉积方法和设备
212 一种用于原子层沉积设备的气体分配器
213 原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法
214 通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜
215 光阻材料及硬掩模前驱物的原子层沉积
216 采用气体分离型喷头的原子层沉积装置
217 一种常压辉光等离子体增强原子层沉积装置
218 用喷头装置实现选择性原子层沉积成膜的方法
219 一种局部单原子层厚度石墨烯的制备方法
220 通过原子层沉积形成半导体材料的系统和方法
221 使用原子层沉积工艺形成材料层的方法
222 用于等离子体增强的原子层沉积的设备和工艺
223 石墨烯-二维贵金属原子层复合材料的制备方法
224 进行等离子体增强原子层沉积的方法和系统
225 一种机械剥离单原子层材料样品的制备方法
226 钨金属化学气相沉积法中原子层沉积的方法
227 原子层沉积氮化硅膜的原位碳和氧掺杂
228 利用空间原子层沉积进行无缝间隙充填
229 用于空间分离原子层沉积的设备及制程密闭度
230 用于旋转料架原子层沉积的装置以及方法
231 面向负载纳米催化剂的旋转反应器原子层沉积设备
232 用于具有再循环的空间原子层沉积的设备及其使用方法
233 将原子层沉积涂层涂覆到多孔非陶瓷基底上的方法
234 一种以氨基钛为钛源的Al/Ti薄膜原子层沉积方法
235 一种采用原子层沉积原位制备超顺磁Fe3O4纳米管阵列的方法
236 包括β-双烯酮亚胺金属化合物的原子层沉积系统和方法
237 一种利用等离子体增强原子层淀积工艺制备超薄钌薄膜的方法
238 作为用于铜金属化的阻挡层的原子层沉积氮化钽和α相钽
239 气体吸排单元及具备该气体吸排单元的原子层沉积装置
240 一种原子层沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜的方法
241 一种用于催化甲醇合成反应的CuNi合金薄膜的原子层沉积制备方法
242 一种等离子体增强原子层沉积铝掺杂氧化锌薄膜方法，客服QQ:1134·268~395
243 一种利用原子层沉积技术制作微通道板功能层的方法
244 一种利用原子层沉积装置制备氟化石墨烯的方法
245 用于半导体器件的使用大气压的材料原子层沉积的方法
246 利用原子层沉积技术在SERS基底上制备氧化物表面的方法
247 用原子层沉积的氧化铝作为栅介质的多晶硅薄膜晶体管
248 一种利用原子层沉积技术制备褶皱负滤光片的方法
249 基于压力测量模块的原子层沉积设备及其使用方法
250 基于模拟退火算法的自适应压力控制的原子层沉积设备
251 用于半导体器件的使用预处理的材料原子层沉积的方法
252 用于高介电常数含铪介电材料的原子层沉积的装置和方法
253 远程等离子体增强原子层沉积低温生长石墨烯的方法
254 电子束蒸发结合原子层沉积钝化层实现有机器件封装的方法
255 基于可伸缩腔室的原子层沉积设备及其使用方法
256 采用水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法
257 原子层沉积法制备石墨烯纳米材料电化学传感器的方法
258 使用原子层沉积(ALD)法在基底上形成含钛层的方法
259 一种采用原子层淀积AlN/高k栅介质双层结构的方法
260 一种大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶的制备方法
261 一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法
262 带有涂覆有原子层沉积的输入端口的集成参考真空压力传感器
263 一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法
264 用于处理成批的衬底的原子层沉积反应器及其方法
265 采用原子层沉积工艺在基片上形成二氧化硅层的方法
266 制备多孔材料内壁薄膜的原子层沉积方法及其设备
267 一种利用原子层沉积钝化层抑制金属表面积碳的方法
268 原子层沉积制备具有固体润滑作用的WS2薄膜方法
269 作为用于铜金属化的阻挡层的原子层沉积氮化钽和α相钽
270 低温下立方和六方InN及其与AlN的合金的等离子体辅助原子层外延
271 一种具有单原子层台阶的六角氮化硼基底及其制备方法与应用
272 在原子层沉积过程中使寄生化学气相沉积最小化的装置和原理
273 基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及制备方法
274 通过大气压力下的原子层沉积(ALD)制造光学膜的方法
275 一种调控GaAs半导体与栅介质间能带补偿的原子层沉积Al2O3/HfO2方法
276 一种原子层沉积制备施主-受主共掺氧化锌薄膜的方法
277 由大气压原子层沉积法制造染料敏化太阳能电池的方法
278 基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤及其制造方法
279 通过使用三(二甲基氨基)硅烷的原子层沉积形成含硅薄膜的方法
280 使用原子层沉积在基片上沉积高介电常数材料的方法
281 一种脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置及方法
282 一种基于原子层沉积技术的氮化钽薄膜的制作工艺
283 集成有原子层沉积工艺的化学气相沉积方法及设备
284 一种电场诱导的在石墨烯表面原子层淀积高k栅介质的方法
285 具有连续旋转的原子层沉积旋转料架及其使用方法
286 用于原子层沉积和化学气相沉积反应器的使用点阀歧管
287 用于化学气相沉积或原子层沉积的化学物输送装置
288 环戊二烯基型铪和锆前体和其在原子层沉积中的用途
289 用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置
290 通过原子层沉积用于沉积铜膜的挥发性铜(Ⅰ)配合物
291 磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法
292 一种自支撑的、单原子层厚的贵金属纳米片及其制备方法
293 利用原子层沉积制备高精度光学宽带抗反射多层膜的方法
294 在原子层沉积系统中抑制过量前体在单独前体区之间运送
295 一种应用原子层沉积技术制备三氧化二铝钝化薄膜的方法
296 一种具有单原子层结构的石墨相氮化碳材料的制备方法
297 用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置
298 低热导率材料上氮化钽扩散阻挡区域的等离子体增强原子层沉积
299 用于高介电常数含铪介电材料的原子层沉积的装置和方法
300 适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法
301 制备亲水界面的方法、原子层沉积高介电常数氧化物的方法
302 用于通过原子层沉积来沉积铜膜的挥发性铜(II)配合物
303 集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置
304 一种采用原子层沉积技术包覆硝胺类炸药的方法
305 半导体装置及其制造方法、以及吸附位阻断原子层沉积法
306 通过大气压力下的原子层沉积（ALD）制造光学膜的方法
307 通过原子层沉积形成混合稀土氧化物和铝酸盐薄膜的方法
308 空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置及方法
309 一种用于制作原子层沉积膜的可拆卸喷头及装置
310 用于大面积多层原子层化学气相处理薄膜的装置和方法
311 柔性卷曲导电衬底上制备单原子层厚度金属薄膜的方法
312 一种利用原子层沉积技术对荧光粉包覆纳米级氧化物薄膜的方法
313 远程脉冲射频电感耦合放电等离子体增强原子层沉积装置
314 一种利用原子层沉积对微滤膜进行复合光催化剂改性的方法
315 用于无缝特征填充的抑制剂等离子体介导的原子层沉积
316 用于薄膜晶体管的通过原子层沉积进行的金属氧化物层组成控制
317 具有利用原子层沉积形成的集成计算元件的流体分析系统
318 采用基于单环戊二烯基钛的前体通过原子层沉积制备含钛薄膜的方法
319 采用单环戊二烯基三烷氧基铪和锆前体通过原子层沉积制备薄膜的方法
320 生长具有原子层单位平整度和界面突变的化合物半导体层的气相生长设备和方法
321 基于原子层沉积技术的铝酸盐荧光粉表面处理方法及其制备的荧光粉
322 在用于CMOS器件的含锗沟道上对氧化硅和高K栅极电介质的无氧化锗的原子层沉积
323 采用原子层沉积的超薄、连续、共形金属膜的成核以及作为燃料电池催化剂的用途
324 包括利用原子层沉积而沉积有材料以用于增加刚度和强度的纤维的纺织物
325 混合金属氧化物阻挡膜和用于制备混合金属氧化物阻挡膜的原子层沉积方法
326 采用单环戊二烯基三烷氧基铪和锆前体通过原子层沉积制备薄膜的方法
327 用于钛酸盐、镧酸盐、及钽酸盐介电膜的原子层沉积和化学气相沉积的前体组合物
328 用于在大衬底上执行原子层沉积的具有多个分段的延伸反应器组件
329 在低介电常数电介质上沉积化学气相沉积膜和原子层沉积膜的方法
330 通过原子层沉积法在扩散层上沉积金属膜以及用于此的有机金属前体络合物