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硅片制备方法 硅片设计加工技术【小套】

点击数: 更新时间:2021-02-17 17:28
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资料编号:ZL-3726

资料价格:198元

1 一种碳化硅片状晶体的制备方法
2 利用(110)硅片制作微机械光开关、光开关阵列及方法
3 一种利用<110>硅片制作的微机械光开关
4 一种在硅片上制备高效硅基发光薄膜的方法
5 硅片的制造方法及其装置
6 一种制造硅片的方法
7 制备单晶硅片表面完整层的新途径
8 CMOS器件用硅片的缺陷控制和利用工艺
9 六方的碳化硅片晶和预型件以及制备和使用它们的方法
10 硅半导体器件用硅片的缺陷控制工艺
11 从超高纯石英材料冶炼并直接铸锭的设备及至切片制取太阳能级硅片的工艺
12 控制重掺锑或砷的硅片中氧含量的方法和装置
13 硅片的制造方法和硅片
14 硅片及硅单晶的制造方法
15 单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法
16 气体分布控制系统及多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
17 一种光刻机硅片平台水平控制和自动对焦系统及方法
18 一种标准硅片制作方法
19 半导体硅片刻蚀工艺的控制方法
20 硅片边缘曝光系统及其光强控制方法
21 硅片刻蚀设备及控制腔室上盖升降的方法
22 硅片传输设备的控制系统及方法
23 具有不对称边缘轮廓的硅片及其制造方法
24 硅单晶的制造方法及硅片的制造方法
25 用于硅片传输系统的并发控制方法
26 一种具有内吸杂功能的掺锗硅片及其制备方法
27 一种利用(100)硅片制作的微机械光开关
28 在硅片上复合ZnO纳米线的半导体基板材料及其制备方法
29 具有氮/碳稳定的氧沉淀物成核中心的理想氧沉淀硅片及其制造方法
30 用于控制理想氧沉淀硅片中洁净区深度的方法
31 一种具有内吸杂功能的掺碳硅片及其制备方法
32 单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
33 单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
34 控制重掺锑或砷的硅片中氧含量的方法和装置
35 单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法
36 应用集成电路废弃硅片生产太阳能电池用硅片的制造方法
37 硅片的制造方法
38 硅片太阳电池制作方法
39 清洗组合物及清洗和制造硅片的方法
40 在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜异质结材料及制备方法
41 单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法
42 单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
43 在(111)晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法
44 硅单晶的生长方法、生长装置及由其制造的硅片
45 在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构及其制作方法
46 单晶硅片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
47 单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
48 用于制备稳定的理想的氧沉淀硅片的方法
49 单晶硅片表面自洁性二氧化钛纳米薄膜的制备方法
50 一种硅片刻蚀工艺处方的控制方法
51 一种投影式光刻机中硅片平台高度控制系统及方法
52 层状奈米氧化硅片改质聚酰胺酸树脂组合物及由其制备的聚酰亚胺薄膜
53 太阳能电池制造中同时形成硅片绒面及PN结的方法
54 硅片的制造方法
55 N-型硅片上制造太阳能电池的方法
56 一种特殊结构的硅片、其用途和制备方法
57 一种多孔硅片及其制备方法
58 在SOI硅片上制造压阻式微悬臂梁传感器的方法
59 硅片表面接触孔的制作方法
60 硅片及其制造方法,以及硅单晶的培育方法
61 在单晶硅片表面制备碳纳米管复合薄膜的方法
62 硅片表面金属电极制作方法及开槽器
63 单晶硅片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法
64 硅片研磨表面划伤的控制方法
65 硅片上制作纳米孔的方法
66 蘸取式硅片制作方法
67 基于SOI硅片的非制冷红外传感器及其阵列和制造方法
68 高效太阳能电池用微晶多晶硅片无切割制备方法
69 一种半导体硅片的减薄制造工艺
70 太阳能硅片的切割制绒一体化加工方法及装置
71 多平台光刻机硅片水平控制和自动对焦系统及其实现方法
72 半导体硅片手动作业的工作台面及其制造方法
73 用碎硅片制备的太阳电池及其制备方法
74 硅块及硅片的制造方法
75 用于硅片台的气动真空控制系统
76 一种硅片研磨载体的制作方法
77 制造高平度硅片的方法
78 硅片研磨表面粗糙度控制方法
79 硅片切削崩边控制方法
80 硅片清洗剂及其制备方法
81 硅片背面干法喷砂制造吸杂源、消除硅抛光表面氧化雾的工艺方法
82 硅片抛光表面划伤的控制方法
83 硅片研磨表面划伤控制方法
84 硅片研磨速率控制方法
85 一种多晶硅片的制造方法
86 一种多晶硅片的制造方法
87 太阳能多晶硅片的制备方法
88 硅片制品缺陷分析方法及装置
89 金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法
90 一种自动控制的硅片检查系统
91 一种单晶硅片制绒的方法
92 一种在单晶硅片表面制备ZrO2复合薄膜的方法
93 一种具有高机械强度的掺锗直拉硅片及其制备方法
94 半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测装置及方法
95 一种半导体功率器件用衬底硅片及其制造工艺
96 介质隔离集成电路硅片及其制备方法
97 硅片和其制造方法及装置
98 一种反应离子刻蚀制备太阳电池硅片绒面的方法以及用该方法制造的太阳电池
99 一种用于半导体制造工艺中的硅片定位方法及定位机构
100 一种在单晶硅片表面制备Si3N4复合薄膜的方法
101 一种硅片传输控制系统及方法
102 在硅片上复合ZnO锥状纳米结构的半导体材料及其制备方法
103 一种硅片清洗剂的制备方法
104 硅片废料制粉装置
105 一种在硅片上制备纳米棒阵列的方法
106 六角形硅片的制造方法
107 一种在硅片上制作真空微腔的予键合装置
108 可程控硅片微区加热控制器
109 全自动太阳能硅片制绒清洗设备
110 硅片废料制粉装置
111 一种自动控制的硅片检查系统 

温馨提示

1、资料格式:资料全部为PDF格式文件,可复制到电脑自由阅读、打印,也可以用手机阅读,方便快捷,没有任何限制,所有文件均保证正常打开。

2、资料说明:资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人姓名、地址/邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。每一项专利文献的内容详略都是不同的,平均每一项4-10页,多的有几十页的。

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