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 45 多闸极场效应晶体管结构
9 200610002371.9 47 半导体装置形成用晶片及其制造方法、以及场效应晶体管
8 200610071020.3 200610071562.0 50 具有长栅极和致密节距的场效应晶体管设计及其制造方法
1 200610024614.9 52 利用偶极效应调制纳米级场效应晶体管的输运特性的方法
3 200610067926.8 54 具有垂直定向的栅电极的场效应晶体管及其制造方法
2 200610051519.8 56 双极有机薄膜场效应晶体管及其制造方法
8 200610092879.2 58 鳍片场效应晶体管及制造鳍片场效应晶体管的方法
9 200610081878.8 60 结型场效应晶体管的制造方法
61 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
62 场效应晶体管结构及其制作方法
63 场效应晶体管及其制作方法
64 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
65 一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管的方法
66 场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法
67 场效应晶体管及其制造方法
68 欧姆电极及制造方法、场效应晶体管及制造方法与半导体装置
69 半导体器件及改善体接触绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管的方法
70 有机半导体材料和有机半导体元件以及场效应晶体管
71 横向双扩散场效应晶体管及含有它的集成电路
72 高密度混合金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件
73 高压场效应晶体管和制造高压场效应晶体管的方法
74 场效应晶体管
75 绝缘栅型场效应晶体管及其制造方法
76 包括具有非对称结构的场效应晶体管的半导体器件和制造该器件的方法
77 同质复合栅场效应晶体管
78 场效应晶体管及其制造方法
79 场效应晶体管及其制造方法
80 半导体结构及制造鳍式场效应晶体管器件的方法
81 用于制作场效应晶体管的栅极电介质的方法
82 制造带有掩埋沟道的鳍式场效应晶体管的结构和方法
83 场效应晶体管及其制造方法
84 场效应晶体管及其形成方法
85 制造旋转场效应晶体管的方法
86 场效应晶体管及其制造方法
87 鳍片型场效应晶体管结构以及用于制造这种结构的方法
88 高电子迁移率晶体管、场效应晶体管、外延衬底、制造外延衬底的方法以及制造Ⅲ族氮化物晶体管的方法
89 具有电容器和场效应晶体管的电路装置和利用它的显示设备
90 具有周围栅极结构的鳍型场效应晶体管及其制造方法
91 制造半导体器件的鳍式场效应晶体管的方法
92 场效应晶体管及其形成方法
93 铁电场效应晶体管存储器件结构及制备方法
94 薄硅单扩散场效应晶体管及其制造方法
95 一种复合型的场效应晶体管结构
96 一种新型金属氧化物硅场效应晶体管栅极结构及其制备工艺
97 双场板金属半导体场效应晶体管及其形成方法
98 一种ZnO基透明场效应晶体管
99 制造分离的双栅场效应晶体管的方法
100 分离的双栅场效应晶体管
101 三维槽栅金属半导体场效应晶体管
102 源漏双凹结构的金属半导体场效应晶体管
103 具有载流子俘获材料的单极纳米管及有其的场效应晶体管
104 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
105 绝缘栅型场效应晶体管的制造方法
106 使用场效应晶体管检测生物分子的方法
107 在栅极传感表面上使用相同场效应晶体管检测生物分子的方法
108 一种金属氧化物硅场效应晶体管制备工艺
109 制造场效应晶体管的方法以及半导体结构
110 形成场效应晶体管的方法
111 一种双硅纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法
112 一种双鳍型沟道围栅场效应晶体管及其制备方法
113 场效应晶体管及其制造方法
114 一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法
115 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
116 场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路
117 一种基于半导体纳米材料的铁电场效应晶体管及其制备方法
118 一种基于硼碳氮纳米材料的场效应晶体管及其制备方法
119 三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法
120 场效应晶体管
121 鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法
122 包括具有可调背栅电势的ESD保护场效应晶体管的半导体器件
123 金属氧化物半导体场效应晶体管保护电路及其制造方法
124 包括在柱子底下延伸的源区/漏区的场效应晶体管
125 一种有机半导体材料的场效应晶体管及制备方法
126 多重鳍状场效应晶体管及其制作方法
127 场效应晶体管、集成电路元件及其制造方法
128 结型场效应晶体管
129 一种双工作模式有机场效应晶体管及制备方法
130 一种有机发光场效应晶体管
131 低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法
132 场效应晶体管、有机薄膜晶体管及有机晶体管的制造方法
133 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
134 双边扩散型金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
135 高密度沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的栅极接触与导路
136 鳍片型场效应晶体管及其设计方法
137 一种利用外延工艺制备鳍形场效应晶体管的方法
138 鳍型场效应晶体管及其制造方法
139 功率场效应晶体管及其制造方法
140 使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管、使用非晶氧化物膜作为沟道层的场效应晶体管的制造方法、以及非......
141 互补性金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
142 场效应晶体管及其制造方法
143 场效应晶体管及其制造方法
144 包括含铟和锌的氧化物半导体材料的沟道的场效应晶体管
145 一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法
146 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
147 有机半导体材料和有机场效应晶体管
148 金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法
149 采用无隔离体场效应晶体管和双衬垫工艺增加应变增强的结构和方法
150 场效应晶体管、具备该场效应晶体管的生物传感器及检测方法
151 具有倒置源极/漏极金属触点的场效应晶体管（FET）及其制造方法
152 一种有机场效应晶体管及其制备方法与应用
153 场效应晶体管
154 具有锗纳米棒的场效应晶体管及其制造方法
155 鳍式场效应晶体管及其形成方法
156 一种纳米晶金刚石薄膜场效应晶体管的制备方法
157 在半导体/电介质界面处具有晶体区域的非晶氧化物场效应晶体管
158 场效应晶体管及其制造方法
159 制造自对准鳍状场效应晶体管装置的方法
160 具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构
161 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
162 带有集成高功率分立场效应晶体管和低压控制器的升压变换器
163 一种半导体组件及金属氧化物半导体场效应晶体管
164 场效应晶体管、包括场效应晶体管的逻辑电路及制造方法
165 在结处具有绝缘层的场效应晶体管结构
166 低功率结型场效应晶体管的制造及其工作方法
167 应变补偿的场效应晶体管及其制造方法
168 场效应晶体管
169 一种有机场效应晶体管及其制备方法
170 高迁移率功率金属氧化物半导体场效应晶体管
171 一种具有高迁移率的有机场效应晶体管及其制备方法
172 具有再生长栅极的自对准沟槽场效应晶体管和具有再生长基极接触区的双极结型晶体管及其制造方法
173 4F平方自对准鳍底电极场效应晶体管驱动相变化存储器
174 一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法
175 一种多栅极场效应晶体管元件及其制造方法
176 光控场效应晶体管和使用它的集成光电检测器
177 背栅极电压发生器电路、四端背栅极开关场效应晶体管及其充电和放电保护电路
178 鳍式场效应晶体管装置的制造方法
179 漏极和/或源极上带改进的植入物的结型场效应晶体管
180 异质结型场效应晶体管及其制造方法
181 半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法
182 场效应晶体管
183 在硅和硅合金中使用互补结型场效应晶体管和MOS晶体管的集成电路
184 利用薄氧化物场效应晶体管的数字输出驱动器和输入缓冲器
185 保护栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管组件及其制造方法
186 场效应晶体管
187 高、低压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管组合封装
188 硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法
189 沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
190 有机场效应晶体管及其制造方法
191 用肖特基源极触点实施的隔离栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管记忆胞
192 多栅极场效应晶体管结构及其制造方法
193 金属氧化物半导体场效应晶体管及其键合方法
194 采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场效应晶体管结构
195 自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法
196 图案形成方法，有机场效应晶体管的制造方法，以及柔性印刷电路板的制造方法
197 场效应晶体管和用于制备场效应晶体管的多层外延膜
198 一种双介质层有机场效应晶体管及其制作方法
199 全自对准条型栅功率垂直双扩散场效应晶体管的制作方法
200 场效应晶体管、半导体芯片及半导体装置
201 使用氧化物膜用于沟道的场效应晶体管及其制造方法
202 场效应晶体管及其制造方法
203 一种垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法
204 一种以石墨烯为电极的场效应晶体管器件及其制备方法
205 半导体场效应晶体管及其制造方法
206 具有通过使用非晶氧化物膜而形成的栅绝缘层的场效应晶体管
207 一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法
208 基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管
209 槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法
210 Г栅异质结场效应晶体管及其制作方法
211 鳍式场效应晶体管
212 凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管
213 凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管
214 场效应晶体管
215 场效应晶体管
216 用于减小场效应晶体管中的接触电阻的外延硅锗
217 混合晶向沟道场效应晶体管
218 绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管
219 高迁移率沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
220 一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法
221 用于测量场效应晶体管的栅极隧穿泄漏参数的方法和结构
222 增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法
223 场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法
224 用于制作场效应晶体管的栅极介电的方法
225 半绝缘氮化物半导体衬底及其制造方法、氮化物半导体外延衬底和场效应晶体管
226 沟槽金属氧化物场效应晶体管及其制造方法
227 一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法
228 功率金属氧化物半导体场效应晶体管触点金属化
229 鳍片型场效应晶体管
230 双扩散场效应晶体管制造方法
231 双扩散场效应晶体管制造方法
232 双扩散场效应晶体管制造方法
233 双扩散场效应晶体管制造方法
234 金属氧化物半导体场效应晶体管
235 管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法
236 使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体及高介电常数栅极电介质的掩埋沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
237 鳍场效应晶体管器件结构的制造方法
238 用于感测应用的有机场效应晶体管
239 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法
240 金属氧化物半导体场效应晶体管结构
241 一种制备有机场效应晶体管的方法
242 半导体场效应晶体管、存储器单元和存储器设备
243 AlN/GaN增强型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管及其制作方法
244 自对准栅极结型场效应晶体管结构和方法
245 鳍式场效应晶体管及其制造方法
246 具有直接源-漏电流路径的横向沟槽栅极场效应晶体管
247 生产有机场效应晶体管的方法
248 平面分离栅极高性能金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制造方法
249 用于O形环场效应晶体管的改进控制器
250 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
251 绝缘层、电子元件、场效应晶体管和聚乙烯基苯硫酚
252 驱动功率场效应晶体管的系统及方法
253 低噪声结型场效应晶体管的器件和制造方法
254 具有在绝缘体上硅或体硅中构建的背栅极的结场效应晶体管
255 具有剪裁的电介质的P型场效应晶体管及方法和集成电路
256 用于制造鳍式场效应晶体管的系统及方法
257 场效应晶体管
258 互补型绝缘体上硅（SOI）结式场效应晶体管及其制造方法
259 横向结型场效应晶体管
260 P沟道纳米晶体金刚石场效应晶体管
261 用于功率金属氧化物半导体场效应晶体管及集成电路的递减电压多晶硅二极管静电放电电路
262 基于碳纳米管场效应晶体管的生物检测器件的制造方法
263 异质结场效应晶体管
264 自对准沟槽累加模式场效应晶体管结构及其制造方法
265 穿隧式场效应晶体管
266 具有直接沟槽多晶硅接触的横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其形成方法
267 具有底部源极的横向式扩散金属氧化物场效应晶体管的结构及其方法
268 场效应晶体管
269 碳纳米管薄膜场效应晶体管的制备方法
270 一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法
271 场效应晶体管侧墙的应力测试方法
272 沟槽栅场效应晶体管及其制造方法
273 自对准碰撞电离场效应晶体管
274 多栅型场效应晶体管及其制造方法
275 一种底栅极垂直结构有机发光场效应晶体管及其制备方法
276 绝缘栅型场效应晶体管及其制造方法
277 金属-半导体场效应晶体管及其制作方法
278 集成有感应晶体管的分立功率金属氧化物半导体场效应晶体管
279 增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法
280 一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用
281 电荷平衡场效应晶体管
282 具有凹陷场板的功率金属氧化物半导体场效应晶体管
283 形成场效应晶体管的方法、多个场效应晶体管及包括多个存储器单元的动态随机存取存储器电路
284 短沟槽横向金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
285 用于形成屏蔽栅极场效应晶体管的结构和方法
286 半导体装置、场效应晶体管及其栅极的制造方法
287 有机半导体复合材料、有机晶体管材料以及有机场效应晶体管
288 金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法及其器件
289 金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
290 金属氧化物半导体场效应晶体管
291 一种场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路
292 场效应晶体管用外延基板
293 氮化镓系外延结晶、其制造方法及场效应晶体管
294 场效应晶体管及其制造方法和半导体装置
295 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
296 有机场效应晶体管
297 一种光传感有机场效应晶体管及其制备方法
298 在场效应晶体管中形成不对称叠加电容的结构和方法
299 GaN场效应晶体管和单片电路台形接地通孔的制作方法
300 有机场效应晶体管
301 沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
302 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
303 针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路
304 自对准的沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
305 具有垂直场效应晶体管的半导体器件及其制造方法
306 多指栅碳纳米管场效应晶体管
307 薄膜场效应晶体管及其制备方法
308 薄膜场效应晶体管及其制备方法
309 场效应晶体管制造方法
310 用于CMOS工艺中N沟道场效应晶体管阵列的版图设计方法
311 薄膜场效应晶体管和使用该薄膜场效应晶体管的显示器
312 包含热解法氧化锌层的层状复合体和包含该复合体的场效应晶体管
313 在鳍式场效应晶体管器件中提高迁移率的金属栅应力膜
314 用于形成高密度沟槽场效应晶体管的结构与方法
315 用于快速估计场效应晶体管阵列中的依赖布图的阈值电压变化的方法
316 无定形氧化物和场效应晶体管
317 有机场效应晶体管及其生产方法
318 单向金属氧化物半导体场效应晶体管及其应用
319 异质结构场效应晶体管、包括异质结构场效应晶体管的集成电路以及用于制造异质结构场效应晶体管的方法
320 自对准的隧穿场效应晶体管的制备方法
321 提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法
322 一种抗辐照的场效应晶体管、CMOS集成电路及其制备
323 混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管
324 混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管
325 一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法
326 一种聚合物薄膜热贴合方法及其在顶栅有机场效应晶体管中的应用
327 场效应晶体管及其制造工艺
328 场效应晶体管制造方法
329 混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管
330 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管
331 混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管
332 混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管
333 场效应晶体管的外延层及其制造方法
334 一种采用结型场效应晶体管的输入浪涌保护装置
335 一种制作顶栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法
336 一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法
337 金属半导体场效应晶体管的制造方法
338 具有低接面场效应晶体管区域阻值的半导体元件
339 金属半导体场效应晶体管
340 一种纳米线场效应晶体管
341 具有金属源极的隧道场效应晶体管
342 一种以碳纳米管为电极的场效应晶体管器件及其制备方法
343 场效应晶体管、场效应晶体管的制造方法和显示装置
344 一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法
345 一种制备有源层材料取向有序的有机场效应晶体管的方法
346 一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法
347 一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法
348 一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法
349 一种修饰有机场效应晶体管底电极的方法
350 一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法
351 采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法
352 一种制备ZnO纳米线场效应晶体管的方法
353 一种制备ZnO多沟道纳米线场效应晶体管的方法
354 具有高掺杂源/漏极和应变增强器的N型场效应晶体管
355 金属氧化物半导体场效应晶体管及其形成方法
356 功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
357 PMOS场效应晶体管辅助触发的互补型SCR结构
358 基于绝缘栅双极晶体管/场效应晶体管的节能设备、系统和方法
359 场效应晶体管及其制造方法
360 一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法
361 一种凹陷沟道的PNPN场效应晶体管及其制备方法
362 致密山形鳍状场效应晶体管以及其制造方法
363 一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管的方法
364 内建结型场效应晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路
365 NMOS场效应晶体管辅助触发的互补型SCR结构
366 一种隧穿场效应晶体管及其制造方法
367 一种石墨烯场效应晶体管
368 结型场效应晶体管及其制造方法
369 一种混合结型源漏场效应晶体管及其制备方法
370 有机场效应晶体管和制造该晶体管的方法
371 一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法
372 屏蔽的栅极沟槽场效应晶体管的方法和结构
373 一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管的方法
374 场效应晶体管中的沟道应变设计
375 场效应晶体管
376 鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法以及集成电路结构
377 在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法
378 对有机场效应晶体管中有源层进行原位保护的方法
379 双层上电极有机场效应晶体管的制作方法
380 基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法
381 一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法
382 一种使用SiGe源极的栅控PNPN场效应晶体管及其制备方法
383 一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法
384 金属氧化物半导体场效应晶体管有源区和边缘终止区电荷平衡
385 制造氧化物半导体场效应晶体管的方法
386 一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法
387 一种互补栅控PNPN场效应晶体管及其制造方法
388 带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管
389 顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的制作方法
390 金属氧化物半导体场效应晶体管
391 功率场效应晶体管静态参数的测试装置
392 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
393 一种复合型的场效应晶体管结构
394 金属氧化物半导体场效应晶体管
395 扁平式封装双场效应晶体管器件
396 扁平式封装双场效应晶体管
397 场效应晶体管同步整流逆变点焊机