资料价格：198元

1 金属氧化物半导体晶体管的制造方法
2 超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法
3 电流控制的金属氧化物半导体晶体管放大电路
4 金氧半导体晶体管的制造方法
5 金氧半导体晶体管的制造方法
6 金氧半导体晶体管的制造工艺
7 金氧半导体晶体管的制造方法
8 具有双栅极结构的沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管
9 制作金氧半导体晶体管的方法
10 功率金属氧化物半导体晶体管的配置
11 金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
12 形成具有自我对准的金属氧化物半导体晶体管的方法
13 带有埋置绝缘氧化物区的金属氧化物半导体晶体管制作方法
14 双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺
15 双极型和互补金属氧化物半导体晶体管
16 双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺
17 高速/高性能金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
18 制作双电压金属氧化物半导体晶体管的方法
19 具有浮动栅极的金属氧化物半导体晶体管的参考电压发生电路
20 金属氧化物半导体晶体管对装置
21 具有P^＋多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法
22 制造金属氧化物半导体晶体管的方法
23 垂直型金属氧化物半导体晶体管
24 垂直金属－氧化物－半导体晶体管及其制造方法
25 垂直金属－氧化物－半导体晶体管
26 具有到上表面上漏极触点的低电阻通路的沟槽式双扩散金属氧化物半导体晶体管结构
27 具有减轻的击穿现象的沟道型双扩散金属氧化物半导体晶体管
28 金属氧化物半导体晶体管控制
29 移除间隙壁的方法、金氧半导体晶体管元件及其制造方法
30 制作金属氧化物半导体晶体管的方法
31 金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
32 互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法及其结构
33 互补式金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
34 高压应力薄膜与应变硅金属氧化物半导体晶体管及其制法
35 一种双栅金属氧化物半导体晶体管及其制备方法
36 垂直金属氧化物半导体晶体管
1 200410067218.5 38 金属氧化半导体晶体管的制造方法与缩小栅极线宽的方法
0 02825738.3 40 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法
5 03811420.8 42 金属氧化物半导体晶体管的结构以及其形成方法
0 200410039633.X 44 金属氧化物半导体晶体管元件的制造方法
9 02129830.0 46 双扩散型金氧半导体晶体管的制造方法
8 02145725.5 03123843.2 49 穿隧偏压金属氧化物半导体晶体管
1 03106302.0 51 侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构及其制作方法
3 02140138.1 53 测量金属氧化半导体晶体管的栅极通道长度的方法
2 200380102528.X 55 金属氧化物半导体晶体管和其制造方法
8 200510120416.8 57 具有金属硅化物的金属氧化物半导体晶体管元件与其工艺
9 200510087320.6 59 金属绝缘体半导体晶体管和互补金属氧化物半导体晶体管
60 间隙壁的移除方法及金属氧化物半导体晶体管的制造方法
61 制作金属氧化物半导体晶体管的方法
62 高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法
63 高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法
64 具有均化电容的高压和低导通电阻横向扩散金属氧化物半导体晶体管
65 互补式金属氧化物半导体晶体管元件及其制作方法
66 互补式金属氧化物半导体晶体管影像感测器及其制造方法
67 金属氧化物半导体晶体管单元及半导体装置
68 高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
69 金属氧化物半导体晶体管的制造方法
70 超高压金属氧化物半导体晶体管元件
71 金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
72 金属氧化物半导体晶体管元件
73 栅极、包含此栅极的金属氧化物半导体晶体管及制造方法
74 制作高张力薄膜及应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法
75 横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
76 制作应变硅互补式金属氧化物半导体晶体管的方法
77 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
78 超高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法
79 窄宽度金属氧化物半导体晶体管
80 金氧半导体晶体管及其间的自我对准接触以及其制造方法
81 半导体结构及N型金属氧化物半导体晶体管的形成方法
82 金属氧化物半导体晶体管的制作方法
83 形成金属氧化物半导体晶体管的方法
84 自动对准凹入式栅极金氧半导体晶体管元件的制作方法
85 金属氧化物半导体晶体管的制造方法
86 金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法与改善方法
87 金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
88 制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法
89 金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管
90 应变硅互补型金属氧化物半导体晶体管的制作方法
91 金属氧化物半导体晶体管的金属硅化工艺及晶体管结构
92 复合硬掩模层、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
93 凹入式栅极金属氧化物半导体晶体管装置及其制作方法
94 制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法
95 互补式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
96 具有Y型金属栅极的金属氧化物半导体晶体管及其工艺
97 金属氧化物半导体晶体管及其形成方法
98 制造金属氧化物半导体晶体管的方法
99 金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
100 非对称金属氧化物半导体晶体管及制造方法及用其的元件
101 高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
102 互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法
103 高压金属氧化物半导体晶体管
104 金属氧化物半导体晶体管及相关制造方法
105 双应力膜互补金属氧化物半导体晶体管的制造方法
106 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
107 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
108 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
109 功率金属氧化物半导体晶体管元件与布局
110 金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
111 金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法
112 双扩散金属氧化物半导体晶体管
113 形成金属氧化物半导体晶体管的方法
114 金属氧化物半导体晶体管
115 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
116 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
117 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
118 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
119 超自对准沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管结构及其制造方法
120 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
121 横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构
122 避免双峰效应的横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构
123 互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法
124 非对称金属-氧化物-半导体晶体管
125 高压横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构的制作方法
126 具静电放电保护的水平扩散金属氧化物半导体晶体管元件
127 金属氧化物半导体晶体管结构
128 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法
129 沟槽式金属氧化物半导体晶体管
130 具有双栅极结构的沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管
131 使用多栅极晶体管的互补金属氧化物半导体晶体管反向器
132 电压控制晶体管和横向扩散金属氧化物半导体晶体管
133 金属氧化物半导体晶体管元件