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干法刻蚀方法 干法刻蚀加工装置生产技术【小套】

点击数: 更新时间:2021-05-23 20:29
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资料编号:ZL-14046

资料价格:198元


1 Z3MS刻蚀后的干法去胶工艺
2 一种含硅低介电常数材料的干法刻蚀工艺
3 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
4 全干法深刻蚀硅溶片制造方法
5 用干法刻蚀在半导体衬底上形成金属布线的方法
6 用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
7 干刻蚀装置
8 一种复合膜的干刻蚀方法
9 等离子体对III-V族化合物的干法刻蚀系统及刻蚀方法
10 用于干刻蚀的图案屏蔽结构及其方法
11 分布反馈半导体激光器中光栅的干法刻蚀制作工艺
12 用于干刻蚀的图案屏蔽结构及其方法
13 干法刻蚀方法
14 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
15 使用干式刻蚀工艺以有效率地图案化凸块下金属化层的技术
16 在凹槽刻蚀之前通过干涉法实现的现场监测进行平坦化刻蚀的方法
17 磁性材料的干法刻蚀方法
18 200410095295.1 200610024615.3 200510126286.9 200510126458.2 200610040806.9 200610076521.0 201110001999.8 201010027345.8 201010619487.3 201110078480.X 201110084161.X 201110135120.9 201110109954.2 201110092994.0 201010192275.1 201110270013.7 201110300744.1 201110388943.2 201110206462.5 201110206531.2 90215562.8 201120354264.9 03157390.8 03143279.4 03143281.6 200310120406.5 200410001388.3 200710121244.5 200810025446.4 200710040653.2 200810099856.3 200810099859.7 200710176278.4 200710094223.9 200710177920.0 200910071492.2 200780033566.2 200810043264.X 200810110008.8 200910092188.6 200910175508.4 201010187540.7 200810203860.X 201010110023.X 201010185118.8 200910081983.5 200910053152.7 200910053812.1 201010522008.6 200910198097.0 201010568673.9 201110084165.8 201010180072.0 201110222427.2 201110186102.3 201010223352.5 201110279578.1 201110279593.6 201110279580.9 201110279589.X 201110279594.0 201110309173.8 201110222147.1 201010510215.X 201010596332.2 201210037516.4 201110070102.7 201110070085.7 201210167991.3 201020171466.5 201020246462.9 201120352723.X 201120352733.3 201120453529.0 

温馨提示

1、资料格式:资料全部为PDF格式文件,可复制到电脑自由阅读、打印,也可以用手机阅读,方便快捷,没有任何限制,所有文件均保证正常打开。

2、资料说明:资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人姓名、地址/邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。每一项专利文献的内容详略都是不同的,平均每一项4-10页,多的有几十页的。

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