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1 经微波等离子体刻蚀的一维纳米碳储氢材料及其制备方法 联系
2 感应耦合型等离子体刻蚀装置中使用的气体扩散板
3 使用脉动宽带光源原位监测等离子体刻蚀和淀积工艺的方法和装置
4 等离子体对III－V族化合物的干法刻蚀系统及刻蚀方法
5 具有可变工艺气体分布的掩模刻蚀等离子体反应器
6 次氟酸酯、氟代过氧化物和/或氟代三氧化物在碳氟化合物刻蚀等离子体中作为氧化剂的应用
7 基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备超细线条的方法
8 一种等离子体刻蚀工艺的终点检测方法
9 探测方法、探测器和电极还原/等离子体刻蚀处理机构
10 等离子体刻蚀机台在预防维护工艺后的监控方法
11 一种对等离子体刻蚀进行定量监测的方法及结构
12 等离子体刻蚀装置
13 等离子体刻蚀装置排气环
14 一种去除刻蚀工艺后硅片表面颗粒的等离子体清洗方法
15 一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺
16 等离子体刻蚀装置
17 微波等离子体装置及制备金刚石薄膜和刻蚀碳膜的方法
18 等离子体刻蚀低K有机硅酸盐材料的方法
19 一种气体温度可控的等离子体刻蚀装置
20 200510126304.3 200510012079.0 200510094984.5 200480023943.0 200610137318.X 201010023130.9 201110141821.3 201010209823.7 201010219614.0 201080017815.0 201110133611.X 201110133617.7 201110138127.6 201110110381.5 201110392794.7 201110391728.8 02267105.6 94242373.9 02809056.X 02809053.5 03136012.2 200410012702.8 200410012703.2 200610108350.5 200810128905.1 200780000584.0 200710094531.1 200810205373.7 200810205372.2 200910158947.4 200880007160.1 201010182276.8 201010130457.6 200880017184.5 200910076699.9 201010186282.0 200910089174.9 200910195409.2 201110141770.4
60 一种等离子体刻蚀机反应腔均匀环倾斜警报装置
61 等离子体刻蚀模拟中最大离子边界角的测量方法
62 等离子体刻蚀工艺的终点监控方法
63 一种用于刻蚀光阻材料的大气压冷等离子体射流装置
64 一种干法刻蚀坚硬无机材料基板等离子体刻蚀机的电极
65 一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统
66 一种等离子体刻蚀装置
67 用于刻蚀腔的变压耦合式等离子体窗及包括其的刻蚀腔
68 接触孔的等离子体干法刻蚀方法
69 预测刻蚀率均匀性以评测校正等离子体腔的方法和装置
70 室温等离子体刻蚀制备半导体性单壁碳纳米管的方法
71 实现等离子体刻蚀腔体弹性接触的连接器件
72 二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置
73 等离子体加工设备的部件和在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法
74 制备金刚石薄膜和刻蚀碳膜的微波等离子体装置
75 等离子体刻蚀机
76 微波激励的小型等离子体刻蚀装置
77 高速无等离子体硅刻蚀系统
78 一种等离子体刻蚀反应器介质窗
79 一种干法刻蚀坚硬无机材料基板等离子体刻蚀机的电极
80 一种干法刻蚀无机材料基板等离子体刻蚀机的传片系统