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多晶硅生产制备方法,多晶硅加工技术配方(一)【小套】

点击数: 更新时间:2021-02-17 17:28
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资料编号:ZL-4654

资料价格:198元

1 轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
2 用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法
3 在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法
4 蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
5 多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置
6 利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法
7 一种功率型多晶硅发射极晶体管
8 薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器
9 多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法
10 多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法
11 改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
12 N型掺杂多晶硅的制造方法
13 多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法
14 降低多晶硅层洞缺陷的方法
15 多晶硅界定阶跃恢复器件
16 用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜及使用该多晶硅薄膜的显示器件
17 多晶硅棒及其加工方法
18 去除多晶硅残留的方法
19 去除多晶硅残留的方法
20 多晶硅间介电层的制造方法
21 低温多晶硅有机电激发光装置的制法
22 一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器
23 形成多晶硅连接的深沟动态随机存取存储器单元的方法
24 低电压操作的单一多晶硅快闪存储单元结构及其阵列
25 多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除
26 多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
27 制作多晶硅薄膜的方法
28 避免于内存组件形成多晶硅纵梁的方法
29 多晶硅膜的制造方法
30 多晶硅表面金属杂质的清除
31 由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法
32 注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法
33 用多晶硅原料制备熔硅的方法
34 在集成电路上制造互连的多晶硅对多晶硅低电阻接触方法
35 利用氧化物与多晶硅隔离垫制造高密度集成电路的方法
36 引入堆叠箱式电容单元的数兆位动态存储器的劈开-多晶硅CMOS工艺
37 一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺
38 绝缘层上多晶硅的激光加热再结晶方法
39 一种多晶硅自对准双极器件及其制造工艺
40 在多晶硅上具有平滑界面的集成电路
41 用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
42 具有多晶硅薄膜的半导体器件
43 利用晶界形成半导体器件中的两层多晶硅栅极的方法
44 多晶硅棒及其制造方法
45 多晶硅电阻及其制造方法
46 具有半绝缘多晶硅吸杂位置层的半导体衬底及其制造方法
47 具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法
48 多晶硅的腐蚀方法和腐蚀装置
49 梯形多晶硅插塞及其制造方法
50 稳定的多晶硅电阻器和制造它的方法
51 利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法
52 改进的多晶硅-硅化物
53 一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺
54 增进多晶硅电阻稳定性的结构及其方法
55 具有P<sup>+</sup>多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法
56 多晶硅的制造方法和装置以及太阳能电池用硅基片的制造方法
57 可靠的具有减小的薄膜电阻的多晶硅-硅化物栅极叠层
58 形成具有多晶硅-硅化钛结构的栅极的方法
59 三层多晶硅嵌入式非易失性存储器单元及其制造方法
60 用多晶硅炉料制备硅熔体的方法
61 多晶硅二极管的静电放电保护装置
62 具有电流增益的单一多晶硅DRAM存储单元及其制造方法
63 利用放热反应制备多晶硅的方法
64 用多晶硅掩模和化学机械抛光制造不同栅介质厚度的工艺
65 用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
66 单个多晶硅快闪电可擦除只读存储器及其制造方法
67 制作多晶硅-多晶硅/MOS叠层电容器的方法
68 多晶硅电阻器及其制造方法
69 多晶硅薄膜的制造方法
70 多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法
71 多晶硅的评价方法
72 高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法
73 使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程
74 具有基片触点和多晶硅桥接单元的半导体只读存储装置
75 多晶硅化钨栅极的制造方法
76 采用多晶硅温度二极管的集成风速计及其制造方法
77 横向多晶硅PIN二极管及其制造方法
78 70纳米多晶硅栅刻蚀-氟化+反应离子刻蚀方法
79 制备多晶硅颗粒的方法和装置
80 多晶硅化学气相沉积方法和装置
81 为快速擦写存储器装置的多晶硅提供掺杂质浓度的方法
82 评定多晶硅的方法和系统及制造薄膜晶体管的方法和系统
83 多晶硅、其生产方法及生产装置
84 用于评估多晶硅薄膜的装置
85 基于二氯甲硅烷的化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长的控制
86 为快速电可擦除可编程只读存储器单元形成相对于有源区自对准的浮动栅多晶硅层的方法
87 液晶显示器的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
88 低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法
89 用顺序横向固化制造均匀大晶粒和晶粒边界位置受控的多晶硅薄膜半导体的方法
90 多晶硅薄膜及其组件的制备方法
91 多晶硅介质平坦化的方法
92 制备三氯氢硅和多晶硅的改进方法和装置
93 用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
94 监控两层多晶硅叠栅未对准的方法
95 多晶硅-绝缘层-金属结构的电容及其制作方法
96 高纯多晶硅的无损材料检测方法
97 一种制作多晶硅发射极界面层的方法
98 提高多晶硅栅极层厚度均匀性的方法
99 用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
100 多晶硅基片结晶度的测量方法及其应用
101 使用透明基板制造多晶硅膜的方法和装置
102 多晶硅铸锭炉的炉体保护装置
103 多晶硅铸锭炉的硅液溢流保护系统
104 多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
105 自缓释金属诱导晶化多晶硅薄膜材料的制备方法及应用
106 气体分布控制系统及多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
107 闪存装置制造中用于多晶硅-1定义非临界互补掩膜方法
108 多晶硅自对准插塞的制作方法
109 半导体器件的着片多晶硅接触结构及栅极结构的制造方法
110 包括低温多晶硅薄膜晶体管的影像显示系统及其制造方法
111 非离子型聚合物在自停止多晶硅抛光液制备及使用中的应用
112 制备大面积多晶硅方法
113 改善多晶硅缺陷的方法
114 多用途多晶硅边缘测试结构
115 一种单层多晶硅栅可编程器件及其形成方法
116 一种单层多晶硅栅MTP器件及其制造方法
117 双极CMOS器件多晶硅刻蚀方法
118 多晶硅刻蚀的方法
119 量测多晶硅线底部形状的方法
120 一种多晶硅电容耦合OTP器件及其制造方法
121 一种多晶硅刻蚀的方法
122 一种单层多晶硅栅OTP器件及其形成方法
123 用高密度等离子氧化层作为多晶硅层间绝缘层的分隔栅的构成
124 多晶硅的制造方法
125 一种改进型栅极多晶硅掩膜层去除方法
126 多晶硅栅层的沉积方法
127 一种多晶硅刻蚀腔室中阳极氧化零件表面的清洗方法
128 包含多晶硅的半导体器件及其制造方法
129 多晶硅的制备
130 高能束流多晶硅提纯装置
131 具有多晶硅多层绝缘结构的非易失性存储单元
132 一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法
133 多晶硅氢还原炉的硅芯棒加热启动方法
134 一种消除多晶硅刻蚀过程出现缝隙的方法
135 低温多晶硅薄膜制作方法
136 具有轻掺杂漏极区的多晶硅薄膜晶体管的制造方法
137 在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法
138 多晶硅的等离子生产方法及其装置
139 一种可改善多晶硅栅极侧面轮廓的栅极制作方法
140 多晶硅薄膜太阳能电池专用设备
141 表面加工多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试方法
142 倾倒式多晶硅真空拉锭炉
143 多晶硅栅表面的清洗方法
144 多晶硅太阳能电池织构层的制备方法
145 低温多晶硅薄膜制造方法
146 一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
147 多晶硅铸锭炉的硅液溢流承接装置
148 多晶硅硅化物电熔丝器件
149 多晶硅铸锭炉的热场节能增效装置
150 挡板晶圆及其所用的随机定向多晶硅
151 多晶硅膜微压传感器
152 在线淀积LPCVD多晶硅石英系统保护层装置
153 一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护器件
154 用等离子方法生产多晶硅的装置
155 多晶硅铸锭炉的硅液溢流保护系统
156 多晶硅铸锭炉的热场节能增效装置
157 多晶硅铸锭炉的热场结构
158 多晶硅铸锭炉的硅液溢流承接装置
159 多晶硅铸锭炉用石墨坩锅
160 多晶硅氢还原炉
161 多晶硅氢还原炉
162 多晶硅氢还原炉
163 多晶硅氢还原炉
164 多晶硅氢还原炉进气喷口
165 适用于低压常规电源加热启动的多晶硅氢还原炉
166 多晶硅氢还原炉测温视镜结构
167 改进型多晶硅还原炉
168 多晶硅氢还原炉
169 多晶硅薄膜的制造方法
170 薄膜晶体管的多晶硅制造方法
171 低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
172 低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
173 多晶硅薄膜晶体管液晶显示器的电路布局方法
174 具多个共通电压驱动电路的多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
175 于基板上形成多晶硅层的方法
176 半导体电路制造的多层多晶硅瓦片结构
177 形成多晶硅层的方法
178 用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
179 用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法
180 具有多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器及其制造方法
181 包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法
182 形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法
183 底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法
184 低温多晶硅平面显示面板
185 多晶硅层的结晶方法
186 多晶硅薄膜的制造方法
187 多晶硅薄膜的制造方法
188 低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
189 具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
190 多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件
191 多晶硅层结构与其形成方法以及平面显示器
192 制造多晶硅层的方法
193 提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法
194 半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
195 具有多晶硅源极接触结构的沟槽MOSFET器件
196 多晶硅层的处理方法
197 形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法
198 一种具有金属上扩散层的金属诱导多晶硅薄膜制造方法
199 多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管
200 基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备超细线条的方法
201 半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法
202 具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法
203 在半导体制程中避免多晶硅纵樑形成的半导体结构
204 利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法
205 具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET
206 制作低温多晶硅薄膜的方法
207 制造多晶硅层的方法及其光罩
208 一种制备多晶硅绒面的方法
209 避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺
210 减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺
211 多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的显示器件
212 包括多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器件及其制造方法
213 用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
214 多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备
215 测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法
216 超小粒径多晶硅的结构和方法
217 三维多晶硅只读存储器及其制造方法
218 光罩与应用其形成多晶硅层的方法
219 集成电路多晶硅高阻电阻的制作方法
220 低温多晶硅薄膜的制造方法
221 多晶硅膜的形成方法
222 多晶硅膜的形成方法
223 制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶体管的方法
224 多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
225 多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法
226 利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法
227 具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板
228 半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法
229 制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管
230 无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅
231 形成多晶硅锗层的方法
232 用于制造垂直DRAM中的钨/多晶硅字线结构的方法及由此制造的器件
233 多晶硅化金属栅极结构及其制造方法
234 制备具有W/WN/多晶硅分层薄膜的半导体器件的方法
235 低温多晶硅薄膜电晶体基板及其制作方法
236 多晶硅层的制作方法
237 由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置
238 采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片
239 在双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤
240 制造具有低温多晶硅的顶栅型薄膜晶体管的方法
241 用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOI MOSFET
242 形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法
243 用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜和使用该多晶硅薄膜的器件
244 多晶硅的蚀刻方法
245 形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法
246 多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法
247 多晶硅层的制作方法
248 利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法
249 多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法
250 多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线及制作方法
251 一种四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的联合制备法
252 一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
253 多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法
254 多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管
255 内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路
256 低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
257 具多晶硅射极双极性晶体管的制造方法
258 用于宽编程的双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元
259 玻璃衬底的预多晶硅被覆
260 低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管
261 低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
262 低温多晶硅薄膜的制造方法
263 低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法
264 制备多晶硅的方法
265 一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
266 多晶硅的定向生长方法
267 陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池
268 光及电可编程硅化多晶硅熔丝器件
269 将非晶硅转换为多晶硅的方法
270 具厚膜多晶硅的静电放电防护元件、电子装置及制造方法
271 低温多晶硅薄膜电晶体的结构
272 利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
273 利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
274 多晶硅薄膜的制造方法
275 一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置
276 减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法
277 由P+或者N+掺杂多晶硅形成其传输门电路的图像传感器像素
278 光电二极管上设有多晶硅层的图像传感器及像素
279 一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法
280 多晶硅薄膜晶体管的制作方法

 

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1、资料格式:资料全部为PDF格式文件,可复制到电脑自由阅读、打印,也可以用手机阅读,方便快捷,没有任何限制,所有文件均保证正常打开。

2、资料说明:资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人姓名、地址/邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。每一项专利文献的内容详略都是不同的,平均每一项4-10页,多的有几十页的。

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